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Good-Ark Halbleiter

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Bild Teil # Beschreibung fabricant Auf Lager RFQ
BAS516 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BAS516 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Oberflächenberg SOD-523 der Dioden-75 V 250mA
BSS123 Chipdiode Neues und Originalvorrat

BSS123 Chipdiode Neues und Originalvorrat

Berg SOT-23 des N-Kanal-100 V 190mA (Ta) der Oberflächen-300mW (Ta)
BAT-AELs für die Gewässer

BAT-AELs für die Gewässer

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-30 V 200mA
BAT54S Neuer und ursprünglicher Bestand

BAT54S Neuer und ursprünglicher Bestand

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, Hinweis der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA des Kun
BAV23S Feldwirkungstransistor

BAV23S Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-250 V 225mA
BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 70 V 200 mA Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
BAW56 Feldwirkungstransistor

BAW56 Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC807-40 Feldwirkungstransistor

BC807-40 Feldwirkungstransistor

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
BC846B Feldwirkungstransistor

BC846B Feldwirkungstransistor

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 300MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
BC856B Leistungstransistor Neues und Original

BC856B Leistungstransistor Neues und Original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
BC857C Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BC857C Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23