Taiwan Semiconductor Corporation
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Einleitung
Taiwan Semiconductor Corporation
Neueste Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BAT-AELs für die Berechnung der Emissionsmengen |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-30 V 200mA (
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BAS316 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-100 V 250mA
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BC848B Variable Induktor Neuer und Originalbestand ROHS Zertifizierung |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BAT-AELs für Hochspannungsdioden |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
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BAT54A Hochspannungsdiode neu und Originalbestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 200mA (DC
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BAS316 Chipdiode neu und originell |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-100 V 250mA
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BAT54SW Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
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BAT54W Neuer und ursprünglicher Bestand |
Oberflächenberg SOT-323 der Dioden-30 V 200mA
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BC846B Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
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BC807-16 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC807-16W Feldwirkungstransistor |
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Oberflächenmontage SOT-323
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BC807-25 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC807-40 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC817-16 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC817-16W Feldwirkungstransistor |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100 MHz 200 mW Oberflächenmontage SOT-323
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BC817-25 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC817-40 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC846B Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC848B Hochfrequenztransistor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC856B Hochspannungstransistor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC857A Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC857C Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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BC858B Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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