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epitaxial planar pnp transistor

Schlüsselwörter   [ epitaxial planar pnp transistor ]  Passen 27 produits.
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2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 3 ein Oberflächenberg D-PAK 50MHz 1 W
Transistoren 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP durch Loch zur Hochleistung 220AB

Transistoren 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP durch Loch zur Hochleistung 220AB

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W durch Loch TO-220
BERG TRUNKENBOLD 23 FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP Oberflächentransistor-140MHz 625mW 3

BERG TRUNKENBOLD 23 FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP Oberflächentransistor-140MHz 625mW 3

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 MA 140MHz 625-mW-Oberflächenberg SOT-23
Oberflächenberg 417mW (Ta) BSH201,215 NPN PNP des Transistor-P Kanal-60V 300mA (Ta)

Oberflächenberg 417mW (Ta) BSH201,215 NPN PNP des Transistor-P Kanal-60V 300mA (Ta)

Berg TO-236AB des P-Kanal-60 V 300mA (Ta) der Oberflächen-417mW (Ta)
2N7002PW Oberflächenkanal 60V 310mA (Ta) 260mW des berg-NPN PNP der Transistor-N

2N7002PW Oberflächenkanal 60V 310mA (Ta) 260mW des berg-NPN PNP der Transistor-N

Berg SOT-323 des N-Kanal-60 V 315mA (Ta) der Oberflächen-260mW (Ta)
Transistor-Silikon-materielle niedrige Kollektor-Sättigungs-Spannung 2SD1899 NPN PNP

Transistor-Silikon-materielle niedrige Kollektor-Sättigungs-Spannung 2SD1899 NPN PNP

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W durch Loch TO-220
2SD2227STPW 50V universelle Art einzelne Konfiguration DCs 0.15A Transistor-NPN

2SD2227STPW 50V universelle Art einzelne Konfiguration DCs 0.15A Transistor-NPN

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 150 MA 250MHz 300 mW durch Loch SPT
PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor

Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 500mA 420mW Oberflächenhalter 6-TSOP
EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR BD140 3 Pin Transistor

EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR BD140 3 Pin Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Leistungs-MOSFET-Transistor Si-Epitaxial-Planarschalttransistoren

PZT2907A Leistungs-MOSFET-Transistor Si-Epitaxial-Planarschalttransistoren

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560,  energie des Silikons PNP

Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP, Audioenergie 2SB1560 mosfet

Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP, Audioenergie 2SB1560 mosfet

Bipolarer (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Durchgangsloch TO-3P
Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung

Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 8 ein Oberflächenberg TP-FA 330MHz 1 W
Epitaxial- planare Art des Energie 2SB1219A Mosfet-Transistor-Silikon-PNP

Epitaxial- planare Art des Energie 2SB1219A Mosfet-Transistor-Silikon-PNP

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 50 V 500 MA 200MHz 150-mW-Oberflächenberg SMini3-G1
2SA1295 PNP Epitaxial- planare nagelneue ursprüngliche Zustand des Transistor-Silikon-SANKEN

2SA1295 PNP Epitaxial- planare nagelneue ursprüngliche Zustand des Transistor-Silikon-SANKEN

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 230 V 17 ein 35MHz 200 W durch Loch MT-200
Leiterplatte-Chips Surface-Berg Si-Epitaxial- planares der Transistor-BCP55

Leiterplatte-Chips Surface-Berg Si-Epitaxial- planares der Transistor-BCP55

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
EMD3T2R Leistungs-Mosfet-Modul-Transistor für allgemeine Zwecke (zwei digitale Transistoren)

EMD3T2R Leistungs-Mosfet-Modul-Transistor für allgemeine Zwecke (zwei digitale Transistoren)

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
TIP3055 Leistungstransistorder hohen leistung des Silikon-NPN mosfet-Transistoren

TIP3055 Leistungstransistorder hohen leistung des Silikon-NPN mosfet-Transistoren

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
Ergänzender mosfet-geringer Energie Schaltleistung der Leistungstransistoren TIP2955 mosfet

Ergänzender mosfet-geringer Energie Schaltleistung der Leistungstransistoren TIP2955 mosfet

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
MMBT3904-7-F multi Emittertransistor NPN DIFFERENZIELLER OBERFLÄCHENberg-TRANSISTOR

MMBT3904-7-F multi Emittertransistor NPN DIFFERENZIELLER OBERFLÄCHENberg-TRANSISTOR

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
DDTC144EE-7-F NPN VORGESPANNTER KLEINSIGNAL-SOT-523-SMD-TRANSISTOR

DDTC144EE-7-F NPN VORGESPANNTER KLEINSIGNAL-SOT-523-SMD-TRANSISTOR

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED DIFFERENZIELLER BERG-TRANSISTOR-Energie mosfet-Modulenergie mosfet IC OBERFLÄCHEN-SOT-23

DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED DIFFERENZIELLER BERG-TRANSISTOR-Energie mosfet-Modulenergie mosfet IC OBERFLÄCHEN-SOT-23

Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmo
MMBT5401 PNP Epitaxial- PC des Silikon-Transistor-2L SOT-23 3000

MMBT5401 PNP Epitaxial- PC des Silikon-Transistor-2L SOT-23 3000

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 150 V 600 MA 300MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
Mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der universellen geringen Energie Transistors BC856B SMD (PNP)

Mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der universellen geringen Energie Transistors BC856B SMD (PNP)

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
SILIKON-TRANSISTORS BC858B-elektrische Leiterplatte des OBERFLÄCHENberg-PNP, programmierbares IC

SILIKON-TRANSISTORS BC858B-elektrische Leiterplatte des OBERFLÄCHENberg-PNP, programmierbares IC

DDTC143XCA-7-F Gleichrichterdiodebrückengleichrichterdiode China-Lieferanten-ursprünglicher Dioden IC-Chip

DDTC143XCA-7-F Gleichrichterdiodebrückengleichrichterdiode China-Lieferanten-ursprünglicher Dioden IC-Chip

Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmo
Gedächtnis-greller Chip 60V MMBT2907A-7-F Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Color Fernsehen IC

Gedächtnis-greller Chip 60V MMBT2907A-7-F Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Color Fernsehen IC

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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