Universeller Verstärker-Hochspannungstransistor MMBT5551 des Silikon-NPN
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 160 V 600 MA 100MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Bargain
Zahlungs-Methode:
T/T
Spezifikationen
Beschreibung:
Bipolar Transistor - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
ART:
Bipolar Transistor - BJT
Name:
Transistoren
Teilnummer:
MMBT5551
Paket:
SOT-23-3
Kleiner Auftrag:
Willkommen
Höhepunkt:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Einleitung
SOT-23 - Leistungstransistor und DarliCM GROUPons
Teilnummer
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Elektrische Eigenschaften
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Mfr. # |
MMBT5551 |
| Befestigung von Art | SMD/SMT |
| Transistor-Polarität | NPN |
| Konfiguration | Einzeln |
| Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal | 160 V |
| Kollektor-Basis-Spannung VCBO | 180 V |
| Emitter-niedrige Spannung VEBO | 6 V |
| Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung | 0,2 V |
| Maximaler DC-Kollektorstrom | 0,6 A |
| PD - Verlustleistung | 325 mW |
| Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT | 300 MHZ |
| Minimale Betriebstemperatur | - 55 C |
| Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
| DC-Kollektor/niedrige Gewinn hfe Minute | 80 bei 10 MA, 5 V |
| Gleichstromverstärkung hFE maximal | 250 bei 10 MA, 5 V |
| Produkt-Art | BJTs - bipolar Transistor |
Elektrische Eigenschaften (an Ta =°C 25 wenn nicht anders angegeben)
VERWANDTE PRODUKTE
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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MOQ:
10 pcs