PC817 Original-Schaltplattenchip PC817X3NSZ9F C-Typ 817 Optocoupler DIP SHARP
PC817
,PC817X3NSZ9F
,PC817 C Type
PC817X3NSZ9F C Typ 817 Optocoupler Schaltplatte Chip DIP SHARP Original
Beschreibung
Die Geräte der Baureihe 817 bestehen jeweils aus einer Infrarotdiode, die optisch mit einem Phototransistordetektor verbunden ist.Sie sind in einem 4-Pin-DIP-Paket verpackt und sind in der großen Abstands- und SMD-Option erhältlich.
Eigenschaften:
• Konformität Halogenfrei (nur Kupferrahmen)
(Br < 900 ppm, Cl < 900 ppm, Br+Cl < 1500 ppm)
• Stromübertragungsquote
(CTR: 50 ~ 600% bei IF = 5mA, VCE = 5V)
• Hohe Isolationsspannung zwischen den Eingängen
und Ausgang (Viso = 5000Vrms)
• Drehweite > 7,62 mm
• Betriebstemperatur bis +110°C
• Kompaktes kleines Umrisspaket
•Das Produkt selbst bleibt in der RoHS-konformen Version
• Einhaltung von EU REACH
• UL und cUL genehmigt (Nr. E214129)
• VDE-Genehmigung (Nr. 132249)
• SEMKO genehmigt
• NEMKO genehmigt
• DEMKO genehmigt
• FIMKO genehmigt
• CQC genehmigt
Anwendung
• Programmierbare Steuerungen
• Systemeinrichtungen, Messgeräte
• Telekommunikationsgeräte
• Haushaltsgeräte wie Lüfterheizungen usw.
• Signalübertragung zwischen Schaltungen mit unterschiedlichen Potentialen und Impedanzen
CM GROUP Electronics, Ihr nächster SHARP/LITEON/ELERLIGHT Experte!
RegelmäßigDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.Teile, 100 Arten auf Lager!
817 Optocoupler A/B/C/D Typ Phototransistor Schaltplatte Chip Liste:
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.- Ich weiß.Ein Typ 4,0 bis 8,0 mA DIP4
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.Typ 6,5-13mA DIP4
Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Methode wird angewendet.Typ 10-20mA DIP4
PC817X4NSZ9F DTyp 15-30mA DIP4
EL817(B) DIP4
EL817(C) DIP4
EL817S(B) ((TU) -F SOP4
EL817S(C) ((TU) -F SOP4
EL817S1(B) ((TU) -F SOP4
EL817S1 ((C) ((TU) -F SOP4
LTV-817-A DIP4
LTV-817-B DIP4
LTV-817-C DIP4
LTV-817-D DIP4
LTV-817M-B DIP4
LTV-817S-TA-C SOP4
LTV-817S-TA-B SOP4
Ich...
LAH50-P IGBT-Leistungsmodul
BM06B-SRSS-TB(LF) ((SN) Trennbare Isolationsverschiebungsanschlüsse
1LN Stromleitung des Ferrit-MPZ2012S101ATD25 der Perlen-SMD Chip Resistor 100 des Ohm-0805
BLM31PG121SN1L NEU UND STAMMAKTIE
Keramische Montage GRM1885C1H222JA01D 2200pF ±5% 50V Kondensator-C0G NP0 0603 MLCC
Reihe 1206 CC1206KKX7RDBB102 SMD Chip Capacitor 1000pF ±10% 2000V X7R
AO4854 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
AOD403 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
AON7405 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
AON7407 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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LAH50-P IGBT-Leistungsmodul |
Current Sensor 50A 1 Channel Hall Effect, Closed Loop Bidirectional Module
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BM06B-SRSS-TB(LF) ((SN) Trennbare Isolationsverschiebungsanschlüsse |
Connector Header Surface Mount 6 position 0.039" (1.00mm)
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1LN Stromleitung des Ferrit-MPZ2012S101ATD25 der Perlen-SMD Chip Resistor 100 des Ohm-0805 |
100 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) 4A 20mOhm
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BLM31PG121SN1L NEU UND STAMMAKTIE |
120 Ohms @ 100 MHz 1 Power Line Ferrite Bead 1206 (3216 Metric) 3.5A 20mOhm
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Keramische Montage GRM1885C1H222JA01D 2200pF ±5% 50V Kondensator-C0G NP0 0603 MLCC |
2200 pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 0603 (1608 Metric)
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Reihe 1206 CC1206KKX7RDBB102 SMD Chip Capacitor 1000pF ±10% 2000V X7R |
1000 pF ±10% 2000V (2kV) Ceramic Capacitor X7R 1206 (3216 Metric)
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AO4854 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Mosfet Array 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
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AOD403 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
P-Channel 30 V 15A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
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AON7405 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
P-Channel 30 V 25A (Ta), 50A (Tc) 6.25W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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AON7407 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
P-Channel 20 V 14.5A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
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