Niedriger Seitenfahrer IR2011S 35ns, Hochgeschwindigkeitsenergie Mosfet-Fahrer 10V - 20V
silicon computer chips
,power mosfet driver
IR2011STRPBF Computer IC Chip HIGH AND LOW SIDE DRIVER HochgeschwindigkeitsstromMOSFET-Treiber
Eigenschaften
·Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb konzipiert Vollfunktionsfähigkeit bis +200V Toleranz gegenüber negativer Übergangsspannung, dV/dt immun
·Gate-Antriebsbereich von 10V bis 20V
·Unabhängige Niedrig- und Hochseitenkanäle
·EingabelogikHIN/LIN aktive hohe
·Unterspannungssperre für beide Kanäle
·3.3V- und 5V-Eingangslogik kompatibel
·CMOS-Schmitt-ausgelöste Eingänge mit Pull-Down
·Gleichmäßige Verbreitungsverzögerung für beide Kanäle ·Auch LEAD-FREE (PbF) verfügbar
Anwendungen
·Audioverstärker der Klasse D ·Hochleistungs-DC-DC-SMPS-Wandler
·Andere Hochfrequenzanwendungen
Beschreibung
Der IR2011 ist ein leistungsstarker, schneller PowerMOSFET-Treiber mit unabhängigen hoch- und niedrigseitigen referenzierten Ausgangskanälen, ideal für Anwendungen der Audioklasse D und DC-DC-Konverter.Logische Eingänge sind mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen kompatibelDie Ausgangstreiber verfügen über eine Hochimpulskorrentpufferstufe, die für eine minimale Treiberquerschnittleitung ausgelegt ist.Die Verzögerungen bei der Ausbreitung werden abgestimmt, um die Verwendung in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachenDer schwimmende Kanal kann verwendet werden, um ein N-Kanal-Power-MOSFET in der hohen Seitenkonfiguration zu betreiben, die bis zu 200 Volt arbeitet.Eigentümliche HVIC- und schließimmun CMOS-Technologien ermöglichen robuste monolithische Konstruktionen.
| Produktattribute | Auswählen |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Reihe | - |
| Verpackung | Band und Rolle (TR) |
| Status des Teils | Aktiv |
| Antriebskonfiguration | Halbbrücke |
| Kanaltyp | Unabhängig |
| Anzahl der Fahrer | 2 |
| Typ des Tores | N-Kanal-MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10 V ~ 20 V |
| Logische Spannung - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1A, 1A |
| Eingabetyp | Umdrehen |
| Höhere Seitenspannung - Max (Bootstrap) | 200 V |
| Anstieg / Fallzeit (Typ) | 35n, 20n |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Nummer des Basisteils | IR2011SPBF |