Isolierschichtbipolar transistor IRGB10B60KDPBF IGBT 600V 22A 156W
fabricant:
Infineon
Beschreibung:
IGBT NPT 600 V 22 A 156 W durch Loch TO-220AB
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
To be negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
PN:
IRGB10B60KDPBF
Marke:
INFINEON/IR
Vorlage:
DEUTSCHLAND
Art:
Isolierschichtbipolar transistor-ultraschnelle weiche Wiederaufnahme-Diode
Stromspannung:
IGBT 600V 22A 156W
Paket:
TO220AB
Höhepunkt:
156W Insulated Gate Bipolar Transistor
,22A Insulated Gate Bipolar Transistor
,IGBT Bipolar Recovery Diode
Einleitung
IRGB10B60KDPBF # Isolierter Gate Bipolar Transistor mit Ultrafast Soft Recovery Diode IGBT
600V 22A 156W TO220AB
Eigenschaften
• Niedrige VCE (an) Nicht-Punch durch IGBT-Technologie.
• Niedrige Diodenfrequenz.
• Kurzschlusskapazität von 10 μs.
• Quadrat RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Eigenschaften.
• Positiver VCE-Temperaturkoeffizient.
• Bleifrei
Vorteile
• Benchmark-Effizienz für die Motorsteuerung
• Robuste Übergangsleistung.
• Niedriges EMI.
• Ausgezeichnete Stromteilung im Parallelbetrieb.
| Teilnummer | IRGB10B60KDPBF |
| Hersteller | Infineon |
| Kategorien Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzelhersteller | Infineon |
| Verpackung | Schlauch |
| Original | Deutschland. |
| Status des Teils | Aktiv |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) | 600 V |
| Strom - Kollektor (Ic) (maximal) | 22A |
| Strom - Kollektorpulse (Icm) | 44A |
| (Maximal) @ Vge Ic | 2.2V @ 15V 10A |
| Leistung - Max. | 156 W |
| Energiewechsel | 140 μJ (an) 250 μJ (aus) |
| Eingabetyp | Standards |
| Torentarife | 38nC |
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MOQ:
5-10pcs