Mosfet IGBT 300W BAD IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V
Spezifikationen
PN:
IXGH40N60C2D1
Marke:
IXYS
Vorlage:
USA
Paket:
BAD TO-247
Gegenwärtig:
40A
Stromspannung:
600V
Energie:
300W
Art:
Mosfet IGBT HiPer FASTTM IGBT mit Diode
Höhepunkt:
300W DIP Mosfet IGBT
,40A 600V DIP Mosfet IGBT
,HiPer FASTTM IGBT Diode
Einleitung
Die Ausrüstung wird von der Anlage erzeugt.DIP TO-247HiPer FASTTM IGBTs mit DiodeMosfet IGBT
Hochgeschwindigkeits-IGBT der Klasse C2
Eigenschaften
- IGBT mit sehr hoher Frequenz
- Quadrat RBSOA
- Hohe Stromübertragungsfähigkeit
Anwendungen
- Ununterbrochene Stromversorgungen (UPS)
- Stromversorgungen im Schaltmodus und im Resonanzmodus
- Wechselstrommotorgeschwindigkeitsregelung
- Gleichstromservo- und Roboterantriebe
- DC-Hubschrauber
Vorteile
- Hohe Leistungsdichte
- Sehr schnelle Schaltgeschwindigkeiten für Hochfrequenzanwendungen
- Hochleistungs-Flächenmontagepakete
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Bild | Teil # | Beschreibung | |
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