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2N7002PW Oberflächenkanal 60V 310mA (Ta) 260mW des berg-NPN PNP der Transistor-N

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-323 des N-Kanal-60 V 315mA (Ta) der Oberflächen-260mW (Ta)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Spezifikationen
Kategorien:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lassen Sie zur Quellspannung ab:
60V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:
310mA (Ta)
Antriebsspannung:
10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:
1,6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:
2,4 V bei 250 µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:
0.8nC @ 4.5V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:
50pF @ 10V
Höhepunkt:

resistor equipped transistor

,

epitaxial planar pnp transistor

Einleitung

2N7002PW NPN PNP-Transistoren N-Kanal 60V 310mA (Ta) 260mW (Ta) Oberflächenhalter SC-70

Beschreibung
Dieses MOSFET wurde entwickelt, um den On-State-Widerstand (RDS ((ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, was es ideal für hocheffiziente Strommanagementanwendungen macht.
Anwendungen
 Motorische Kontrolle 

Funktionen der Energieverwaltung


Eigenschaften
Niedriges Ansprechvermögen 
Niedrige Torschwelle 
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit 
Kleine Oberflächenverpackung 
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 und 2)
Halogen- und Antimonfrei. ¢ Grünes Gerät (Anmerkungen 3 und 4) 
Qualifiziert nach den Normen AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit
Mechanische Daten

Fall: SOT23 
Gehäusematerial: geformter Kunststoff, “Grüne” Formenverbindung. UL-Flammbarkeit 94V-0  Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020 
Anschließende Teile: Matte Zinnveredelung über einem Bleiframme aus Legierung 42 (Bleifreies Plattieren).
Terminalverbindungen: Siehe Diagramm 
Gewicht: 0,008 Gramm (ungefähr)



ProduktattributeAuswählen
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte
 Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
HerstellerNexperia USA Inc.
Reihe-
VerpackungBand und Rolle (TR)
Status des TeilsAktiv
FET-TypN-Kanal
TechnologieMOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C310mA (Ta)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6 Ohm @ 500 mA, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 4,5 V
Vgs (maximal)± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 10V
FET-Eigenschaft-
Leistungsausfall (maximal)260 mW (Ta)
Betriebstemperatur-55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der MontageOberflächenbefestigung
Lieferanten-GerätepaketSC-70
Packung / GehäuseSC-70, SOT-323
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