2SD2227STPW 50V universelle Art einzelne Konfiguration DCs 0.15A Transistor-NPN
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 150 MA 250MHz 300 mW durch Loch SPT
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, ÜBERTRAGUNGSURKUNDE
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
50V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
60V
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
12V
Maximaler DC-Kollektorstrom:
0.15A
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
250 MHZ
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
Gleichstromverstärkung hFE maximal:
1200 bei 1 MA bei 5 V
Höhepunkt:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Einleitung
2SD2227S NPN PNP Transistoren Allzwecktransistor 50V 0,15A
Mittelleistungstransistor ((25V, 1,2V), Allzwecktransistor ((50V, 0,15A)
Eigenschaften
1) hoher Gleichstromgewinn.
2) Hochspannung für den Emitter. (VCBO=12V)
3) Niedrige Sättigungsspannung (Typ VCE (sat) = 0,3 V bei IC/IB = 50mA/5mA)
| Produktattribut | Attributivwert |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Transistorpolarität: | NPN |
| Ausstattung: | Einzigartig |
| Sammler-Emitter Spannung VCEO Max: | 50 V |
| Kollektor-Basisspannung VCBO: | 60 V |
| Emittenten-Basisspannung VEBO: | 12 V |
| Höchststrom des Gleichstromkollektors: | 0.15A |
| Gewinnbandbreitenprodukt fT: | 250 MHz |
| Höchstbetriebstemperatur: | + 150 °C |
| Gleichstromgewinn hFE Max: | 1200 bei 1 mA bei 5 V |
| Dauerkollektorstrom: | 0.15A |
| Pd - Energieverlust: | 300 mW |
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