Transistor-Silikon-materielle niedrige Kollektor-Sättigungs-Spannung 2SD1899 NPN PNP
Spezifikationen
Kollektorstrom (DC):
3A
Kollektor-Basis-Spannung:
60 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
60 V
Emitter-Basisspannung:
7V
Häufigkeit:
120MHz
Machtverlust:
2w
Transistor-Polarität:
NPN
Funktionierende Temp-Strecke:
-55C zu 150C
Höhepunkt:
epitaxial planar pnp transistor
,silicon npn power transistors
Einleitung
2SD1899 NPN PNP Transistoren Silizium NPN Leistungstransistor
Beschreibung
·Niedrige Sättigungsspannung des Kollektors
·100% Lawinentest
·Minimalvariationen von Los zu Los für eine robuste Leistung des Geräts und einen zuverlässigen Betrieb
Anwendungen
·Anwendungen mit hoher Übergangsfrequenz
Spezifikationen
Kategorie: BJT - Allgemeiner Zweck
Hersteller: RENESAS TECHNOLOGY
Sammlerstrom (Gleichstrom) : 3 (A)
Die Spannung des Kollektors ist 60 V.
Sammler-Sender Spannung: 60 ((V)
Ausstrahlungsbasisspannung: 7 ((V)
Frequenz: 120 (MHz)
Leistungsausfall: 2 ((W)
Anbringung: Oberflächenbefestigung
Betriebstemperaturbereich: -55 bis 150 °C
Packungsart: TO-252
Anzahl der Pins: 2 + Tab
Anzahl der Elemente: 1
Betriebstemperatur-Klassifizierung: Militär
Kategorie: Bipolare Macht
Radgehärtet: Nein
Polarität des Transistors: NPN
Ausgangsleistung: nicht erforderlich ((W)
Konfiguration: Einfach
Gleichstromgewinn: 60@0,2A@2V/50@2A@2V
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Zweipolige NPN PNP gegenwärtige 65W Gruppierung TIP42C der Transistor-100V 6A Energie-HFE
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
SM6T15CAY Fernsehvorübergehendes Spannungs-entstör-Oberflächenberg
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Chipdiode Neue und ursprüngliche Vorräte
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 NEU UND ORIGINAL LAGER
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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BZW50-39BRL 180V Transil vorübergehende Spannungs-Überspannungsschutz Fernsehen 5000W |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
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Vorübergehender Spannungs-Überspannungsschutz DO-15 P6KE440ARL 15kV 600W |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
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Transistoren 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP durch Loch zur Hochleistung 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
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27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
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2N7002 Chipdiode Neue und ursprüngliche Vorräte |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
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BCP52-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
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STW45NM60 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
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STP110N8F6 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
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STP110N7F6 NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
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