BFS505,115 15V Rf-Leistungstransistor, Oberflächenberg-Transistor 18mA 9GHz 150mW
fabricant:
NXP
Beschreibung:
Oberflächenberg SC-70 Rf-Transistor-NPN 15V 18mA 9GHz 150mW
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, ÜBERTRAGUNGSURKUNDE
Spezifikationen
Kategorien:
Transistoren - zweipolig (BJT) - Rf
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
15V
Frequenz - Übergang:
9GHz
Rauschmaß (DB-Art @ f):
1.2dB | 2.1dB @ 900MHz
Macht- maximales:
150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
60 @ 5mA, 6V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
18mA
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Höhepunkt:
resistor equipped transistor
,silicon npn power transistors
Einleitung
BFS505 NPN PNP Transistoren HF-Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Oberflächenhalter
NPN 9 GHz Breitbandtransistor
Eigenschaften
• Niedriger Stromverbrauch
• Hohe Leistungssteigerung
• Niedriger Lärm
• Hohe Übergangsfrequenz
• Die Metallisierung von Gold sorgt für
ausgezeichnete Zuverlässigkeit
• SOT323 Umschlag.
Beschreibung
NPN-Transistor in einem Kunststoff SOT323
Sie haben einen Briefumschlag.
mit einer Leistung von mehr als 50 W und
Oszillatoren und Mischer, insbesondere in
Funkübertragbare Kommunikation
Ausrüstung (Zelltelefone, Kabellose
Telefone, Pager) bis zu 2 GHz.
| Produktattribute | Auswählen |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren - Bipolar (BJT) - HF | |
| Hersteller | USA Inc. |
| Reihe | - |
| Verpackung | Band und Rolle (TR) |
| Status des Teils | Veraltet |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) | 15 V |
| Häufigkeit - Übergang | 9 GHz |
| Geräuschwerte (dB Typ @ f) | 1.2 dB ~ 2.1 dB @ 900 MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - Max. | 150 mW |
| Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (maximal) | 18 mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-323-3 |
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75
BT1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B
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N-Channel 30 V 5.2A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
BAT721S,215 Neuer und ursprünglicher Bestand
Diode Array 1 Pair Series Connection 40 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BCX51,115 NEU UND STAMMAKTIE
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
BC847W,135 Oberflächenbefestigung Induktor Neues und Original
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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SC-88 6 Schutz-Gleichrichterdiode 0.85pF der Führungs-PUSB2X4Y125 ESD |
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PDTA143ZE,115 Chipdiode neu und originell |
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