PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor
fabricant:
Nexperia
Beschreibung:
Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 500mA 420mW Oberflächenhalter 6-TSOP
Kategorie:
Elektronische Bauelemente
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, ÜBERTRAGUNGSURKUNDE
Spezifikationen
Kategorien:
Transistoren - zweipolig (BJT) - Reihen, Vor-voreingenommen
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
500mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50V
Widerstand - Basis (R1):
kOhms 1
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Höhepunkt:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Einleitung
HGTG11N120CND NPT-Serie N Kanal IGBT Anti-Parallel-Hyperschnelle Diode 43A 1200V
Beschreibung:
Der HGTG11N120CND ist ein Non-Punch Through (NPT) IGBT Design.
Dies ist ein neues Mitglied der MOS-Gated-Hochspannungs-IGBT-Familie.
IGBTs kombinieren die besten Eigenschaften von MOSFETs und bipolaren Transistoren.
Dieses Gerät hat die hohe Eingangsimpedanz eines MOSFET und den geringen Konduktionsverlust eines bipolaren Transistors.
Der verwendete IGBT ist der Entwicklungstyp TA49291.
Die verwendete Diode ist der Entwicklungstyp TA49189.
Die IGBT ist ideal für viele Hochspannungs-Schaltanwendungen, die bei moderaten Frequenzen arbeiten
bei denen geringe Leitverluste unerlässlich sind, wie z. B. Wechselstrom- und Gleichstrommotorsteuerungen, Stromversorgungen und Antriebe für Magnetvorrichtungen,
Relais und Kontaktoren, ehemals Entwicklungstyp TA49303.
Eigenschaften:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V-Switching-SOA-Fähigkeit
• Typische Herbstzeit. . . . . .340ns bei TJ = 150oC
• Kurzschlussbewertung
• Niedriger Leitverlust
• SPICE-Modell für Wärmeimpedanz
VERWANDTE PRODUKTE
BAT120C,115 Neuer und ursprünglicher Bestand
Diode Array 1 Pair Common Cathode 25 V 1A (DC) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA
BCP51-16,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Surface Mount SOT-223
2N7002BKS,115 NEU UND ORIGINAL LAGER
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 295mW Surface Mount 6-TSSOP
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
BAT120C,115 Neuer und ursprünglicher Bestand |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 25 V 1A (DC) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA
|
|
|
|
BCP51-16,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
2N7002BKS,115 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 295mW Surface Mount 6-TSSOP
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
3000 PCS