300W-500W Schalter des Verstärker-TO-220 IRFB4227PBF PDP
fabricant:
Infineon
Beschreibung:
N-Kanal 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
To be negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Nomenklatur:
IRFB4227PB
Marke:
INFINEON
Vorlage:
Deutschland
Paket:
TO-220
Typ:
PDP-Schalter-moderner Prozess
Funktionierende Grenzschichttemperatur:
175°C
Höhepunkt:
IRFB4227PB PDP Switch
,TO-22 PDP Switch
,500W Amplifier PDP Power MOSFET
Einleitung
IRFB4227PBPDP-Schalter mit fortgeschrittener ProzesstechnologieINFINEON Deutschland
Eigenschaften
Fortgeschrittene Prozesstechnik
Schlüsselparameter für PDP Sustain optimiert,
Anwendungen für die Energierückgewinnung und den Pass Switch
Niedrige EPULSE-Einstufung zur Leistungsreduzierung
Abspaltung in PDP-Anwendungen für die Aufrechterhaltung, die Energierückgewinnung und die Pass-Switching
Niedriges QG für schnelle Reaktion
Hohe wiederholbare Spitzenstromkapazität für einen zuverlässigen Betrieb
Kurze Fall- und Aufstiegszeiten für schnelle Umstellung
175°C Betriebstemperatur für eine verbesserte Robustheit
Wiederholung von Lawinen für Robustheit und Zuverlässigkeit
Klasse D-Audioverstärker 300W-500W (Halbbrücke)
Beschreibung
Dieses HEXFET8Power MOSFET ist speziell für Sustain ausgelegt.
Dieses HEXFET8Power MOSFET ist speziell für Sustain ausgelegt.
Energiewiederherstellungs- und -pass-Schalteranwendungen in Plasma-Display-Panels.
Dieses MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen
Zusätzliche Eigenschaften dieses MOSFET sind 175°C
Betriebstemperatur der Verbindung und hohe Wiederholungsspitzenstromfähigkeit.
Betriebstemperatur der Verbindung und hohe Wiederholungsspitzenstromfähigkeit.
Diese Eigenschaften machen dieses MOSFET zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für PDP-Anwendungen.
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Auf Lager:
MOQ:
10pcs