Nachricht senden
Haus > produits > Flash-Speicher IC-Chip > CY7C1328G-133AXI elektronischer IC-Chip, integrierter Schaltkreis-Chip, 4 Mbit (256 K x 18), Pipelined DCD Sync SRAM

CY7C1328G-133AXI elektronischer IC-Chip, integrierter Schaltkreis-Chip, 4 Mbit (256 K x 18), Pipelined DCD Sync SRAM

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
SRAM - Synchron, entsprechen SDR-Gedächtnis IC 4.5Mbit 133 MHZ 4 ns 100-TQFP (14x20)
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Lagertemperatur:
– 65°C zu +150°C
Umgebende Temperatur mit der Energie angewandt:
– 55°C zu +125°C
Versorgungs-Spannung auf VDD im Verhältnis zu Boden:
– 0.5V zu +4.6V
Versorgungs-Spannung auf VDDQ im Verhältnis zu Boden:
– 0.5V zu +VDD
DC-Eingangsspannung:
– 0.5V zu VDD + 0.5V
Gegenwärtig in die Ertrag (NIEDRIG):
20 MA
Höhepunkt:

programming ic chips

,

ic programmer circuit

Einleitung

 

CY7C1328G 4-Mbit (256K x 18) Pipeline-DCD-Synchronisations-SRAM

 

Merkmale

• Registrierte Ein- und Ausgänge für den Pipeline-Betrieb

• Optimal für die Leistung (Double-Cycle abwählen)

— Tiefenerweiterung ohne Wartezustand

• 256K × 18 gemeinsame I/O-Architektur

• 3,3-V-Kernstromversorgung (VDD)

• 3,3V/2,5VI/O-Stromversorgung (VDDQ)

• Schnelle Takt-zu-Ausgabe-Zeiten

— 2,6 ns (für 250-MHz-Gerät)

• Bieten Sie eine leistungsstarke 3-1-1-1-Zugriffsrate

• Vom Benutzer wählbarer Burst-Zähler, der Intel® Pentium® interleaved oder lineare Burst-Sequenzen unterstützt

• Separate Prozessor- und Controller-Adress-Strobes

• Synchrone selbstgetaktete Schreibvorgänge

• Asynchrone Ausgabe aktivieren

• Erhältlich im bleifreien 100-Pin-TQFP-Gehäuse

• „ZZ“-Schlafmodus-Option

 

Funktionsbeschreibung

Der CY7C1328G SRAM integriert 256K x 18 SRAM-Zellen mit fortschrittlicher synchroner Peripherieschaltung und einem Zwei-Bit-Zähler für den internen Burst-Betrieb.Alle synchronen Eingänge werden durch Register gesteuert, die von einem durch eine positive Flanke ausgelösten Takteingang (CLK) gesteuert werden.Zu den synchronen Eingängen gehören alle Adressen, alle Dateneingänge, Adress-Pipelining-Chip-Aktivierung (CE1), Tiefenerweiterungs-Chip-Aktivierung (CE2 und CE3), Burst-Steuerungseingänge (ADSC, ADSP und ADV), Schreibfreigaben (BW[A: B] und BWE) und Global Write (GW).Zu den asynchronen Eingängen gehören der Output Enable (OE) und der ZZ-Pin.

Adressen und Chipfreigaben werden bei steigender Taktflanke registriert, wenn entweder der Address Strobe Processor (ADSP) oder der Address Strobe Controller (ADSC) aktiv sind.Nachfolgende Burst-Adressen können intern generiert werden, gesteuert durch den Advance-Pin (ADV).

Adresse, Dateneingänge und Schreibsteuerungen werden auf dem Chip registriert, um einen selbstgesteuerten Schreibzyklus zu initiieren. Dieser Teil unterstützt Byte-Schreibvorgänge (weitere Einzelheiten finden Sie in den Pin-Beschreibungen und der Wahrheitstabelle).Schreibzyklen können je nach Steuerung durch die Byte-Schreibsteuereingänge ein bis zwei Bytes breit sein.GW aktiv LOW bewirkt, dass alle Bytes geschrieben werden.Dieses Gerät verfügt über ein zusätzliches Pipeline-Aktivierungsregister, das das Ausschalten der Ausgangspuffer um einen weiteren Zyklus verzögert, wenn eine Abwahl ausgeführt wird. Diese Funktion ermöglicht eine Tiefenerweiterung ohne Beeinträchtigung der Systemleistung.

Der CY7C1328G wird mit einer Kernstromversorgung von +3,3 V betrieben, während alle Ausgänge mit einer +3,3-V- oder +2,5-V-Versorgung betrieben werden.Alle Ein- und Ausgänge sind JEDEC-Standard JESD8-5-kompatibel.

 

Maximale Bewertungen

(Darüber hinaus kann sich die Nutzungsdauer verschlechtern. Für Benutzerrichtlinien, nicht getestet.)

Lagertemperatur ................................................ .... –65°C bis +150°C

Umgebungstemperatur bei eingeschalteter Stromversorgung ... –55 °C bis +125 °C

Versorgungsspannung auf VDDBezogen auf GND........................ –0,5 V bis +4,6 V

Versorgungsspannung auf VDDQBezogen auf GND ........................ –0,5 V bis +VDD

An die Ausgänge angelegte Gleichspannung in Trista................. –0,5 V bis VDDQ+ 0,5V

DC-Eingangsspannung ................................................ ........ –0,5 V bis VDD+ 0,5V

Strom in Ausgänge (LOW)................................................ ................. 20 mA

Statische Entladungsspannung................................................ ................ > 2001V

(gemäß MIL-STD-883, Methode 3015)

Latch-Up-Strom ................................................ ........................ > 200 mA

 

Funktionsblockdiagramm

 

 

Paketdiagramm

 

 

 

Aktienangebot (Hot Sell)

Teile-Nr. Menge MFG D/C Paket
MC78L15ACDR2G 30000 AN 10+ SOP-8
MC74HC32ADR2G 25000 AN 10+ SOP
MC14093BDR2G 30000 AN 16+ SOP
A2C11827-BD 3000 ST 11+ HSOP20
LM337D2TR4 5991 AN 13+ TO-263
LTC6090CS8E 6129 LINEAR 15+ SOP
PC817C 25000 SCHARF 16+ TAUCHEN
LT1170CQ 5170 LINEAR 14+ TO-263
ATMXT768E-CUR 3122 ATMEL 12+ VFBGA96
LM809M3X-4.63 10000 NSC 14+ SOT-23-3
PIC12F510-I/P 5453 MIKROCHIP 16+ TAUCHEN
30578 1408 BOSCH 10+ QFP-64
LM4040AIM3-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LP38692MP-3.3 3843 NSC 15+ SOT-223
LPC4330FET256 2411 15+ TFBGA-256
LAA120P 2674 CPCLARE 15+ SOP8
MCP42010-I/SL 5356 MIKROCHIP 16+ SOP
LM3940IMP-3.3 10000 NSC 15+ SOT-223
MAX668EUB-T 5418 MAXIME 16+ MSOP
MAX16054AZT+ 6100 MAXIME 15+ SOT
PCA9555PW 12520 11+ TSSOP

 

 

 

 

 

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs