LMC662CM Programmierbare IC-Chips, CMOS-Dual-Operationsverstärker

LMC662 CMOS-Dual-Operationsverstärker

Allgemeine Beschreibung

Der CMOS-Dual-Operationsverstärker LMC662 ist ideal für den Betrieb mit einer einzigen Versorgung.Er wird von +5 V bis +15 V betrieben und verfügt über einen Rail-to-Rail-Ausgangshub sowie einen Eingangs-Gleichtaktbereich, der die Erdung einschließt.Leistungseinschränkungen, mit denen CMOS-Verstärker in der Vergangenheit zu kämpfen hatten, sind bei diesem Design kein Problem.Eingangs-VOS, Drift und Breitbandrauschen sowie Spannungsverstärkung bei realistischen Lasten (2 kΩ und 600 Ω) sind alle gleich oder besser als weithin akzeptierte bipolare Äquivalente.

Dieser Chip wird mit dem fortschrittlichen Double-Poly Silicon-Gate CMOS-Prozess von National hergestellt.Sehen Sie sich das LMC660-Datenblatt für einen Quad-CMOS-Operationsverstärker mit denselben Funktionen an.

Merkmale

• Rail-to-Rail-Ausgangsschwingung
• Spezifiziert für 2 kΩ- und 600 Ω-Lasten
• Hochspannungsverstärkung: 126 dB
• Niedrige Eingangsoffsetspannung: 3 mV
• Geringe Offsetspannungsdrift: 1,3 µV/˚C

• Extrem niedriger Eingangsruhestrom: 2 fA
• Der Eingangs-Gleichtaktbereich umfasst V⁻
• Betriebsbereich von +5V bis +15V Versorgung
• ISS = 400 µA/Verstärker;unabhängig von V+

• Geringe Verzerrung: 0,01 % bei 10 kHz
• Anstiegsgeschwindigkeit: 1,1 V/µs
• Erhältlich im erweiterten Temperaturbereich (–40 °C bis +125 °C);ideal für Automobilanwendungen
• Verfügbar gemäß einer standardmäßigen militärischen Zeichnungsspezifikation

Anwendungen

• Hochohmiger Puffer oder Vorverstärker
• Präziser Strom-Spannungs-Wandler
• Langfristiger Integrator
• Sample-and-Hold-Schaltung
• Peak-Detektor
• Medizinische Instrumente
• Industrielle Steuerungen
• Automobilsensoren

Absolute Höchstbewertungen (Anmerkung 3)

Wenn für Militär/Luft- und Raumfahrt spezifizierte Geräte erforderlich sind, wenden Sie sich bitte bezüglich Verfügbarkeit und Spezifikationen an das National Semiconductor Sales Office/Distributor.

Differenzeingangsspannung ±Versorgungsspannung

Versorgungsspannung (V⁺− V⁻) 16V

Ausgangskurzschluss nach V⁺(Anmerkung 12)

Ausgangskurzschluss nach V⁻(Anmerkung 1)

Leitungstemperatur (Löten, 10 Sek.) 260˚C

Lagertemperatur.Bereich –65˚C bis +150˚C

Spannung an den Eingangs-/Ausgangspins (V⁺) +0,3V, (V⁻) −0,3V

Strom am Ausgangspin ±18 mA

Strom am Eingangspin ±5 mA

Strom am Stromversorgungspin 35 mA

Verlustleistung (Hinweis 2)

Verbindungstemperatur 150˚C

ESD-Toleranz (Hinweis 8) 1000 V

Betriebsdaten (Anmerkung 3)

Temperaturbereich

LMC662AMJ/883, LMC662AMD −55˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

LMC662AI −40˚C ≤ TJ ≤ +85˚C

LMC662C 0˚C ≤ TJ ≤ +70˚C

LMC662E −40˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

Versorgungsspannungsbereich 4,75 V bis 15,5 V

Verlustleistung (Hinweis 10)

Wärmewiderstand (θJA) (Hinweis 11)

8-Pin-Keramik-DIP 100˚C/W

8-poliger geformter DIP 101˚C/W

8-Pin SO 165˚C/W

8-poliger, seitlich gelöteter Keramik-DIP 100˚C/W

Hinweis 1: Gilt sowohl für den Einzelversorgungs- als auch für den Split-Versorgungsbetrieb.Dauerhafter Kurzschlussbetrieb bei erhöhter Umgebungstemperatur und/oder Kurzschlüsse mehrerer Operationsverstärker können dazu führen, dass die maximal zulässige Sperrschichttemperatur von 150 °C überschritten wird.Ausgangsströme über ±30 mA können sich langfristig negativ auf die Zuverlässigkeit auswirken.

Hinweis 2: Die maximale Verlustleistung ist eine Funktion von TJ(max), θJA und TA.Die maximal zulässige Verlustleistung bei jeder Umgebungstemperatur beträgt PD = (TJ(max)–TA)/θJA.

Hinweis 3: Absolute Höchstwerte geben Grenzwerte an, bei deren Überschreitung Schäden am Gerät auftreten können.Betriebsbewertungen geben Bedingungen an, unter denen das Gerät funktionsfähig sein soll, garantieren jedoch keine spezifischen Leistungsgrenzen.Garantierte Spezifikationen und Testbedingungen finden Sie in den elektrischen Eigenschaften.Die garantierten Spezifikationen gelten nur für die aufgeführten Testbedingungen.

Hinweis 4: Typische Werte stellen die wahrscheinlichste parametrische Norm dar.Grenzwerte werden durch Tests oder Korrelation garantiert.

Hinweis 5: V+ = 15 V, VCM = 7,5 V und RL an 7,5 V angeschlossen.Für Beschaffungstests: 7,5 V ≤ VO ≤ 11,5 V.Für Sinktests: 2,5 V ≤ VO ≤ 7,5 V.

Hinweis 6: V+ = 15 V.Anschluss als Spannungsfolger mit 10-V-Schritteingang.Die angegebene Zahl ist die langsamere der positiven und negativen Anstiegsgeschwindigkeiten.

Anmerkung 7: Eingabe bezogen.V+ = 15 V und RL = 10 kΩ verbunden mit V+/2.Jeder Verstärker wird der Reihe nach mit 1 kHz angeregt, um VO = 13 VPP zu erzeugen.

Anmerkung 8: Modell des menschlichen Körpers, 1,5 kΩ in Reihe mit 100 pF.

Hinweis 9: Eine militärische RETS-Spezifikation für elektrische Tests ist auf Anfrage erhältlich.Zum Zeitpunkt der Drucklegung entsprach die RETS-Spezifikation des LMC662AMJ/883 vollständig den in dieser Spalte fett gedruckten Grenzwerten.Der LMC662AMJ/883 kann auch nach einer Standard-Militärzeichnungsspezifikation beschafft werden.

Hinweis 10: Für den Betrieb bei erhöhten Temperaturen muss das Gerät basierend auf dem Wärmewiderstand θJA mit PD = (TJ–TA)/θJA herabgestuft werden.

Hinweis 11: Alle Zahlen gelten für direkt in eine Leiterplatte eingelötete Gehäuse.

Hinweis 12: Schließen Sie den Ausgang nicht an V+ an, wenn V+ größer als 13 V ist, da sonst die Zuverlässigkeit beeinträchtigt werden könnte

Schaltplan

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