Ultraschnelle Avalanche SMD Brücken-Diode, BYG20J-E3/TR
Spezifikationen
Spannung:
200 V bis 600 V
Eigenschaften:
Flaches Paket
Beschreibung:
Verzinnte Mattführungen
Temperatur:
°C 260
Verwenden:
Gleichrichter
Typ:
Diode
Höhepunkt:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Einleitung
BYG20J-E3-TR Dioden Ultraschnelle Lawine SMD Richter
Eigenschaften
• Niedrigwertiges Programm
• Ideal für die automatisierte Platzierung
• Passivierte Verbindung aus Glas
• Niedrige Umkehrströmung
• Eigenschaften der weichen Rückgewinnung
• Ultraschnelle Umkehrwiederherstellungszeit
• entspricht MSL-Stufe 1 pro J-STD-020, LF maximal
260 °C
• AEC-Q101-qualifiziert
• Konformität mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG und
gemäß WEEE 2002/96/EG
Mechanische Daten
Fall:
DO-214AC (SMA)
Die Formverbindung entspricht der UL 94 V-0-Flammbarkeit
Basis P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzieller Qualität
Basis P/NHE3 - RoHS-konform, mit AEC-Q101-Qualifikation
Endgeräte:
Matte Zinnplattierte Leitungen, zu schweißen
J-STD-002 und JESD 22-B102
E3-Suffix erfüllt JESD 201 Klasse 1A-Bärtetest, HE3-Suffix
entspricht der JESD 201-Klasse-2-Bärtetest
Polarität:
Farbband bezeichnet das Kathodenende
Hauptmerkmale
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Ich...F ((AV)
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1.5 A
|
VRRM | mit einer Leistung von nicht mehr als 50 W |
Ich...FSM | 30 A |
Ich...R | 1.0 μA |
VF | 1.4 V |
tRR | 75 ns |
ER | 20 mJ |
TJmaximal | 150 °C |
VERWANDTE PRODUKTE
IRFP9240 Dioden-P-Kanal für allgemeine Zwecke mit 150 Watt Durchgang
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO1400AEFTR Feldwirkungstransistor
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
VS-60CPQ150PBF Feldwirkungstransistor neu und originell
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
VS-36MB160A Feldwirkungstransistor
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
MBRB10100-E3/8W Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
VS-HFA25PB60PBF NEU UND STAMMAKTIE
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
TCMT1107 NEU UND STAMMAKTIE
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
1N5245B-TAP NEU UND STAMMAKTIE
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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IRFP9240 Dioden-P-Kanal für allgemeine Zwecke mit 150 Watt Durchgang |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO1400AEFTR Feldwirkungstransistor |
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
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VS-60CPQ150PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
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VS-36MB160A Feldwirkungstransistor |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
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IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
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VS-HFA25PB60PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
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TCMT1107 NEU UND STAMMAKTIE |
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
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1N5245B-TAP NEU UND STAMMAKTIE |
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
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5 PCS