Führte Epitaxial- Silikon-Transistor BC849BMTF NPN ergänzenden mosfet Energie der Leiterplatte
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300 MHz 310 mW Oberflächenmontage SOT-23-3
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
30 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
30 V
Emitter-Basisspannung:
5 v
Kollektorstrom (DC):
100 MA
Kollektorverlustleistung:
310 mW
Höhepunkt:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Einleitung
BC849BMTF
Führte Epitaxial- Silikon-Transistor NPN ergänzenden mosfet Energie der Leiterplatte
Eigenschaften
• Schaltungs-und Verstärker-Anwendungen
• Passend für automatische Einfügung in den starken und Dünnschichtschaltungen
• Lärmarm: BC849, BC850
• Ergänzung zu BC856… BC860
BESTANDSLISTE
| HD74LS08P | 1520 | SCHLAGEN Sie | 15+ | BAD |
| AT24C256-10PU27 | 2300 | ATMEL | 16+ | BAD |
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| ADM1485ARZ | 2000 | ANZEIGE | 13+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
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| 7MBR50NF060 | 500 | FUJI | 16+ | MODUL |
| AD517JH | 2450 | ANZEIGE | 13+ | DOSE |
| 2N6394 | 3000 | AUF | 14+ | TO-220 |
| 2SA1385-Z-E1 | 3000 | NEC | 16+ | TO-252 |
| ASPC2R/STE2A | 1600 | AUF | 16+ | QFP100 |
| IRF710 | 1500 | IR | 13+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| BQ27510DRZR-G2 | 1560 | TI | 15+ | QFN |
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| IRF740 | 1500 | IR | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| ADG783BCPZ | 2000 | ANZEIGE | 15+ | LFCSP |
| ADM3202ARNZ | 2000 | ANZEIGE | 15+ | SOP-16 |
| 1N4448W-7-F | 9000 | DIODEN | 13+ | SOD123 |
| IRF7389TR | 1500 | IR | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| HA13164AH | 3460 | SCHLAGEN Sie | 15+ | BAD |
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