Nachricht senden
Haus > produits > elektronische IC-Chips > BZX55C5V1 Gleichrichterdiode-differenzielle Zenerdiode-Silikon-Zenerdioden

BZX55C5V1 Gleichrichterdiode-differenzielle Zenerdiode-Silikon-Zenerdioden

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zenerdiode 5,1 V 500 mW ±6 % Durchgangsloch DO-35
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Verlustleistung:
500 mW
Zener-Strom:
Ptot/Vz MA
Kreuzung zur Luft:
300 K/W
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
°C 175
Lagertemperatur:
- 65 zu + °C 175
Vorwärtsspannung (Maximum):
1,5 V
Höhepunkt:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Einleitung

BZX55-Series

Differenzielle Zenerdioden

EIGENSCHAFTEN

• scharfe Sperrkennlinie

• Niedriger Rückaktueller stand

• Sehr hohe Stabilität

• Lärmarm

• AEC-Q101 qualifizierte

• Konform zu RoHS richtungweisendes 2002/95/EC und in der Übereinstimmung zu WEEE 2002/96/EC

• Halogen-frei entsprechend Definition Iecs 61249-2-21

ANWENDUNGEN

• Spannungsstabilisierung

PRIMÄReigenschaften

PARAMETER WERT EINHEIT
VZ-Strecke nom. 2,4 bis 75 V
Prüfstrom IZT 2,5; 5 MA
VZ-Spezifikation Impulsstrom
Int. Bau Einzeln

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

GERÄTENAME EINRICHTUNGS-CODE BANDEINHEITEN PRO SPULE MINDESTBESTELLMENGE
BZX55-series BZX55-series-TR 10 000 pro 13" Spule 30 000/box
BZX55-series BZX55-series-TAP 10 000 pro ammopack (52 Millimeter-Band) 30 000/box

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (Tamb = °C 25, wenn nicht anders angegeben)

PARAMETER TESTBEDINGUNG SYMBOL WERT EINHEIT
Verlustleistung L = 4 Millimeter, Zeitlimit = °C 25 Ptot 500 mW
Zener gegenwärtig IZ Ptot/VZ MA
Kreuzung zur Luft L = 4 Millimeter, Zeitlimit = Konstante RthJA 300 K/W
Grenzschichttemperatur Tj 175 °C
Lagertemperaturbereich Tstg - 65 bis + 175 °C
Vorwärtsspannung (Maximum) WENN = 200 MA VF 1,5 V

GEHÄUSEABMESSUNGEN in den Millimeter (Zoll): DO-35

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket

LMV324MX 5291 NSC 15+ SOP-14
LM3526MX-L 2580 NSC 14+ SOP-8
MC9S08QD4CSC 4648 FREESCALE 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LM3526MX-H 2578 NSC 14+ SOP-8
NMV1215SAC 3580 MURATA 16+ SCHLÜCKCHEN
LM4853MM 932 NSC 13+ MSOP-10
L9146 3917 St. 15+ SOP16
L6920DCTR 3378 St. 15+ MSOP8
LM7915CT 10000 NSC 15+ TO-220
MCP130T-270I/TT 4930 MIKROCHIP 16+ SOT-23
PIC16F689-I/SO 5033 MIKROCHIP 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MCP2515-I/P 5212 MIKROCHIP 15+ BAD
M25P20-VMN6TPB 5194 St. 12+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MCP2210-I/SO 5158 MIKROCHIP 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LM2917N-8 1000 NSC 13+ DIP-8
LM675T 1283 NSC 11+ TO-220
NJU3718G-TE2 2940 JRC 10+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
M95256-WMN6TP 6597 St. 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
OPA551FA/500 7980 TI 14+ TO-263
ZTX658 3090 ZETEX 11+ TO-92
PIC18F67K22-I/PT 4278 MIKROCHIP 14+ TQFP
MAX503EAG+ 4306 MAXIME 14+ SSOP
MCP121T-300E/TT 10000 MIKROCHIP 16+ SOT-23
LP2992AIM5-3.3 4743 NSC 15+ SOT-23-5
MAX3221ECAE+T 10100 MAXIME 16+ SSOP
MIC2954-03WS 10000 MICREL 16+ SOT-223
MT4LC1M16E5TG-5 7359 MIKROMETER 10+ TSOP
LMR62014XMF 2843 TI 15+ SOT-23-5
MB85RC64PNF-G-JNERE1 13287 FUJITSU 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LM3409MY 2864 NSC 14+ MSOP-10

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
100pcs