BC817-25LT1G NPN universelle Transistor-Elektronik-integrierte Schaltungen
multi emitter transistor
,silicon power transistors
BC817-25LT1G NPN universelle Transistor-Elektronik-integrierte Schaltungen
* hoher Gewinn und niedrige Sättigungsspannungen ERGÄNZENDE ART – DETAIL BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH
Eigenschaften
• Pb−Free-Pakete sind verfügbar
MAXIMALLEISTUNGEN
Veranschlagende Symbol-Wert-Einheit
Collector−Emitter-Spannung VCEO 45 V
Collector−Base-Spannung VCBO 50 V
Emitter−Base-Spannung VEBO 5,0 V
Kollektorstrom − ununterbrochenes mAdc ICs 500
Maximalleistungen sind jene Werte über, welchem Gerätschaden hinaus auftreten kann. Die Maximalleistungen, die auf das Gerät zugetroffen werden, sind einzelne DruckGrenzwerte (nicht normale Betriebsbedingungen) und sind gleichzeitig ungültig. Wenn diese Grenzen überstiegen werden, wird Gerätfunktionsoperation nicht bedeutet, tritt möglicherweise Schaden auf und Zuverlässigkeit ist möglicherweise betroffen.
THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
Charakteristisches Symbol maximal
Brett der Einheits-Gesamtgerät-Ableitungs-FR−5, (Anmerkung 1) TA = 25°C
Setzen Sie über 25°C PD 225 1,8 thermischen Widerstand mW mW/°C herab,
Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W
Gesamtgerät-Ableitungs-Tonerde-Substrat, (Anmerkung 2) TA = 25°C
Setzen Sie über 25°C PD 300 2,4 mW mW/°C herab
Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W
Kreuzung und Lagertemperatur TJ, Tstg −55 zu °C +150
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 Zoll.
2. Tonerde = 0,4 x 0,3 x 0,024 in Tonerde 99,5%.