Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung
Anwendungen
• DC-/DC-Konverter, Relaisfahrer, Lampenfahrer, Lokführer, Blitz
Eigenschaften
• Annahme von FBET- und MBIT-Prozessen.
• Große gegenwärtige Kapazitanz.
• Niedrige Kollektor-zuemittersättigungsspannung.
• Hochgeschwindigkeitsschaltung.
• Hohe zulässige Verlustleistung.
Spezifikationen (): 2SA2040
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Bewertungen | Einheit |
| Kollektor-zu-Basis-Spannung | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
| Kollektor-zu-Emitter-Spannung | VCES | -- | (--50) 100 | V |
| Kollektor-zu-Emitter-Spannung | VCEO | -- | (--) 50 | V |
| Emitter-zu-Basis-Spannung | VEBO | -- | (--) 6 | V |
| Kollektorstrom | IC | -- | (--) 8 | |
| Kollektorstrom (Impuls) | ICP | -- | (--) 11 | |
| Niedriger Strom | IB | -- | (--) 2 | |
| Kollektor-Ableitung | PC |
-- Tc=25°C |
1,0 15 |
W W |
| Grenzschichttemperatur | Tj | -- | 150 | °C |
| Lagertemperatur | Tstg | -- | --55 bis +150 | °C |
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
| Kollektor-Reststrom | ICBO | VCB = (--) 40V, IE =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Emitter-Reststrom | IEBO | VEB = (--) 4V, IC =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Gleichstromverstärkung | hFE | VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
| Gewinn-Bandbreiten-Produkt | fT | VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | MHZ |
| Ausgangskapazität | Pfeiler | VCB = (--) 10V, f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | PF |
| Kollektor-zu-Emitter Sättigungs-Spannung |
VCE (saß), 1 VCE (saß), 2 |
IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA |
-- -- |
(--230) 160 (--240) 110 |
(--390) 240 (--400) 170 |
Millivolt Millivolt |
| Basis--Emitterr Zur Sättigung Spannung | VBE (saß) | IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA | -- | (--) 0,83 | (--) 1,2 | V |
| Kollektor-zu-Basis-Durchbruchsspannung | V (BR) CBO | IC = (--) 10µA, IE =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Kollektor-zu-Emitter-Durchbruchsspannung | V (BR) CES | IC = (--) 100µA, RBE =0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Kollektor-zu-Emitter-Durchbruchsspannung | V (BR) CEO | IC = (--) 1mA, RBE-=∞ | (--) 50 | -- | -- | V |
| Emitter-zu-Basis-Durchbruchsspannung | V (BR) EBO | IE = (--) 10µA, IC =0A | (--) 6 | -- | -- | V |
| Drehung-auf Zeit | Tonne | See spezifizierte Test-Stromkreis. | -- | (40) 30 | -- | ns |
| Lagerzeit | tstg | See spezifizierte Test-Stromkreis. | -- | (225) 420 | -- | ns |
| Abfallzeit | tf | See spezifizierte Test-Stromkreis. | -- | 25 | -- | ns |
Gehäuseabmessungen Gehäuseabmessungen
Einheit: Millimeter Einheit: Millimeter
7518-003 7003-003
Schaltzeit-Test-Stromkreis
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC