Universeller Energie Mosfet-Transistor (NPN-Silikon) Pb−Free verpackt MMBT3904LT1G
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 200 MA 300MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector−Emitter-Spannung:
40 VDC
Collector−Base-Spannung:
60 VDC
Emitter−Base-Spannung:
6,0 VDC
Kollektorstrom − ununterbrochen:
mAdc 200
Kreuzung und Lagertemperatur:
−55 zu °C +150
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
Universeller Transistor
NPN-Silikon
MAXIMALLEISTUNGEN
| Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
| Collector−Emitter-Spannung | VCEO | 40 | VDC |
| Collector−Base-Spannung | VCBO | 60 | VDC |
| Emitter−Base-Spannung | VEBO | 6,0 | VDC |
| Kollektorstrom − ununterbrochen | IC | 200 | mAdc |
THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
| Eigenschaft | Symbol | Maximal | Einheit |
|
Gesamtbrett der gerät-Ableitungs-FR−5 (Anmerkung 1) @TA = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD | 225 1,8 | mW mW/°C |
| Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
|
Gesamtgerät-Ableitungs-Tonerde Substrat, (Anmerkung 2) @TA = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
300 2,4 |
mW mW/°C |
| Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient | RJA | 417 | °C/W |
| Kreuzung und Lagertemperatur | TJ, Tstg | −55 bis +150 | °C |
Impuls-Test: Impuls-Breite 300 s, Arbeitszyklus 2,0%. F
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