Energie STD4NK60ZT4 mosfet-Modul Energie Mosfet-Transistor TRANSISTOR | MOSFET | N-KANAL | TO-252AA
power mosfet ic
,multi emitter transistor
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-KANAL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
Zener-geschützter SuperMESHTMPower MOSFET
■TYPISCHES Ω 1,76 RDS (an) =
■EXTREM HOHE dv-/dtfähigkeit
■LAWINE 100% PRÜFTE
■TOR-GEBÜHR SETZTE HERAB
■NIEDRIGE TATSÄCHLICHE KAPAZITANZEN
■GUTES HERSTELLUNGSrepeatibility
BESCHREIBUNG
Die SuperMESHTM-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten stripbased PowerMESHTM-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets einschließlich revolutionäre MDmeshTM-Produkte ergä.
ANWENDUNGEN
■HOHER STROM, HOCHGESCHWINDIGKEITSschaltung
■IDEAL FÜR OFFLINEStromversorgung, ADAPTER UND PFC
■BELEUCHTUNG
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | ||
| STP4NK60Z STB4NK60Z | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | Abfluss-Quellespannung (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | Abfluss-Tor Spannung (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Gate-Source-Spannung | ± 30 | V | ||
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab | 4 | 4 (*) | 4 | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (L) | Abfluss-Strom (pulsiert) | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Torquelle ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Isolierungs-Widerstands-Spannung (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Funktionierende Grenzschichttemperatur Lagertemperatur | -55 bis 150 -55 bis 150 | °C °C | ||
(L), Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX.
(*) begrenzte nur durch die maximale gewährte Temperatur
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
| LMV931MG | 3299 | NSC | 15+ | SC70-5 |
| MC33887VM | 3328 | Lux | 16+ | HSOP |
| OPA277PA | 7240 | TI | 15+ | BAD |
| LT1114S14#TR | 5182 | LT | 10+ | SOP-14 |
| MC44BS373CADR2 | 3544 | FREESCALE | 10+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MAX5024LASA+ | 14550 | MAXIME | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| LNBH23LQTR | 1272 | St. | 14+ | QFN-32 |
| 88E6185-A2-LKJ1C000 | 1211 | MARVELL | 15+ | QFP |
| LM348MX | 6789 | NSC | 13+ | SOP-14 |
| AZ1084CD-ADJTRG1 | 1500 | BCD | 13+ | TO-252 |
| LP3990MFX-3.3 | 4682 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PIC16F616T-I/ML | 5163 | MIKROCHIP | 16+ | QFN |
| AAT4280IGU-1-T1 | 4000 | ANALOGIC | 15+ | SOT23 |
| PAM3116BLBADJR | 10800 | PAM | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| L1117LG | 10000 | NIKOS | 15+ | SOT-223 |
| MMBFJ310LT1G | 10000 | AUF | 16+ | SOT-23 |
| LMV824MX/NOPB | 4163 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| MAX-7Q-0-000 | 7492 | MAXIME | 14+ | GPS |
| LM2907MX-8 | 1000 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| OM8744HN | 5740 | 16+ | QFN | |
| PIC16F1939-I/PT | 5223 | MIKROCHIP | 16+ | QFP |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC