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Universeller Transistor BC548B-npn darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor-NPN

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 500 mW durch Loch TO-92
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektorstrom ununterbrochen:
mAdc 100
Gesamtgerät-Ableitungs-Tonerde-Substrat, TA = 25℃:
625 mW/℃
TJ:
℃ -55 bis +150
Tstg:
-55 to +150 ℃
Emitter-Basis-Durchbruchsspannung:
6 VDC
Paket:
TO-92
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Universeller Transistor NPN

Maximalleistungen (TA=25°C wenn nicht anders vermerkt)

Bewertung Symbol BC546 BC547 BC548 Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VECO 65 45 30 VDC
Kollektor-Basis-Spannung VCBO 80 50 30 VDC
Emitter-Basis-Spannung VEBO 6 6 6 VDC
Kollektorstrom ununterbrochen IC 100 mAdc

THERMISCHE EIGENSCHAFTEN

Eigenschaften Symbol Maximal Einheit
Gesamtgerät-Ableitungs-Tonerde-Substrat, TA = 25℃

BC546

BC547

BC548

PD 625 mW/℃
Kreuzung und Lagerung, Temperatur

BC546

BC547

BC548

TJ, Tstg -55 bis +150

Maße des Entwurfs-TO-92

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Q'ty MFG D/C Paket
PMBF4391 20000 12+ SOT-23
M21L216128A-10T 4738 ESMT 16+ TSOP
LM308N 1000 NSC 15+ DIP-8
LTM8027IV#PBF 1112 LT 15+ LGA
LM2936Z-5.0 4543 NSC 14+ TO-92
MC9S08GT8ACFBE 4582 FREESCALE 10+ QFP
MC68HC908MR16CFU 3802 FREESCALE 10+ QFP
LP2983AIM5-1.2 30000 NSC 15+ SOT-23-5
LM317AT/NOPB 2486 TI 13+ TO-220
LTC1386CS#TRPBF 5274 LT 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MSD42SWT1G 25000 AUF 16+ SOT-323
6MBP30RH060 493 FUJI 16+ MODUL
MMBT6517LT1G 20000 AUF 16+ SOT-23
NY24W-K 5400 FUJITSU 16+ BAD
MMSZ9V1T1 20000 AUF 16+ SOD-123
LTC1383CS#PBF 5230 LINEAR 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
CSR1010A05-IQQM-R 2146 Bauzustands-Übersichtsbericht 15+ QFN32
LM833DT 10000 St. 14+ SOP-8
MRMS301A 10000 NEC 16+ SOT-323
LM747CN 2234 NSC 14+ DIP-14
PIC18F4520-I/P 4473 MIKROCHIP 16+ QFP

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Bild Teil # Beschreibung
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10pcs