Mosfet-Transistoren MJD112T4G-hoher Leistung, ergänzende DarliCM GROUPon Power Transistors
power mosfet ic
,silicon power transistors
Mosfet-Transistoren MJD112T4G-hoher Leistung, ergänzende DarliCM GROUPon Power Transistors
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Ergänzende DarliCM GROUPon Power Transistors
DPAK für Oberflächenberg-Anwendungen
SILIKON-LEISTUNGSTRANSISTOREN
2 AMPERE
100 VOLT
20 WATT
Entworfen für universelle Energie und das Schalten wie Ertrag oder Treiberstufen in den Anwendungen wie Spannungsreglern, Konvertern und Endverstärkern.
Eigenschaften
• Pb−Free-Pakete sind verfügbar
• Führung gebildet für Oberflächenberg-Anwendungen in den Plastikärmeln (kein Suffix)
• Gerade Führungs-Version in den Plastikärmeln (Suffix „−1“)
• Führung gebildete Version in 16 Millimeter-Band und in der Spule („T4“ und „RL-“ Suffix)
• Elektrisch ähnlich populärer Reihe TIP31 und TIP32
MAXIMALLEISTUNGEN
Bewertung | Symbol | Maximal | Einheit |
Collector−Emitter-Spannung | VCEO | 100 | VDC |
Collector−Base-Spannung | VCB | 100 | VDC |
Emitter−Base-Spannung | VEB | 5 | VDC |
Kollektorstrom − ununterbrochen Spitze |
IC |
2 4 |
ADC |
Niedriger Strom | IB | 50 | mAdc |
Gesamtleistungs-Ableitung @ TC = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
20 0,16 |
W W/°C |
Gesamtleistung Dissipation* @ TA = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
1,75 0,014 |
W W/°C |
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | TJ, Tstg | −65 bis +150 | °C |
Maximalleistungen sind jene Werte über, welchem Gerätschaden hinaus auftreten kann. Die Maximalleistungen, die auf das Gerät zugetroffen werden, sind einzelne DruckGrenzwerte (nicht normale Betriebsbedingungen) und sind gleichzeitig ungültig. Wenn diese Grenzen überstiegen werden, wird Gerätfunktionsoperation nicht bedeutet, tritt möglicherweise Schaden auf und Zuverlässigkeit ist möglicherweise betroffen.
MARKIERUNGSdiagramme
GEHÄUSEABMESSUNGEN
DPAK
FALL 369C
FRAGE O
DPAK−3
FALL 369D−01
FRAGE B