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Mosfet-Transistor Energie NJW0281G NJW0302G, Leistungstransistoren NPN PNP

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Durchgangsloch TO-3P-3L
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Pyapal
Spezifikationen
Collector-Emitter Voltage:
250 Vdc
Kollektor-Basis-Spannung:
250 VDC
Emitter-Basisspannung:
5,0 VDC
Base Current:
1.5 Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C:
150 Watts
Operating and Storage Junction Temperature:
- 65 to +150 °C
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Einleitung

Mosfet-Transistor Energie NJW0281G NJW0302G, Leistungstransistoren NPN PNP

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 St. 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 MIKROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MIKROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANZEIGE 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANZEIGE 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MIKROCHIP 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 St. 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANZEIGE 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MODUL
AD620AN 4162 ANZEIGE 14+ BAD
AD8139ACPZ 4194 ANZEIGE 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ BAD
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ BAD
DF10S 4290 SEPT 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ BAD
TMS320C50PQ80 4386 TI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

NJW0281G (NPN)

NJW0302G (PNP)

Ergänzende NPN-PNP Energie-bipolar Transistor

15 AMPERE ERGÄNZENDE SILIKON-LEISTUNGSTRANSISTOR-250 VOLT, 150 WATT

Diese ergänzenden Geräte sind Versionen der niedrigeren Energie des populären NJW3281G- und NJW1302G-Audioausgangs Transistoren. Mit überlegenen Gewinnlinearitäten und sicherer Geschäftsfeldleistung sind diese Transistoren für Audioverstärkerendstufen der hohen Wiedergabetreue und andere lineare Anwendungen ideal.

Eigenschaften

• Außergewöhnliches sicheres Geschäftsfeld

• NPN-/PNPgewinn, der innerhalb 10% von 50 MA an 3 A anpaßt

• Ausgezeichnete Gewinn-Linearitäten

• Hohes BVCEO

• Hochfrequenz

• Diese sind Pb-freie Geräte Bene

Nutzen

• Zuverlässige Leistung an den höheren Energien

• Symmetrische Eigenschaften in den ergänzenden Konfigurationen

• Genaue Wiedergabe des Eingangssignals

• Größere Dynamikwerte

• Hoher Verstärker-Bandbreite App

Anwendungen

• Spitzenverbraucher-Audioprodukte

* Hauptverstärker

* Hauptempfänger

• Berufsaudioverstärker

* Theater-und Stadions-Tonanlagen

* allgemeine Lautsprecheranlagen (PAs) MAXI

MAXIMALLEISTUNGEN

Bewertung Symbol Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 250 VDC
Kollektor-Basis-Spannung VCBO 250 VDC
Emitter-Basis-Spannung VEBO 5,0 VDC
Kollektor-Emitter-Spannung - 1,5 V VCEX 250 VDC

Kollektorstrom - ununterbrochener Kollektorstrom

- Spitze (Anmerkung 1)

IC

15

30

ADC
Niedriges gegenwärtiges - ununterbrochen IB 1,5 ADC
Gesamtleistungs-Ableitung @ TC = 25°C PD 150 Watt
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke TJ, Tstg - 65 bis +150 °C

Die Drücke, die Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät. Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen. Funktionsoperation über den empfohlenen Betriebsbedingungen wird nicht bedeutet. Verlängerte Aussetzung zu den Drücken über den empfohlenen Betriebsbedingungen beeinflußt möglicherweise Gerätzuverlässigkeit.

1. Impuls-Test: Impuls-Breite = 5,0 Frau, Arbeitszyklus < 10="">

GEHÄUSEABMESSUNGEN

TO-3P-3LD

FALL 340AB-01

FRAGE A

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Bild Teil # Beschreibung
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