Mosfet-Transistoren der P4NK60ZFP-Energie Mosfet-Transistorhohen leistung
power mosfet ic
,multi emitter transistor
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Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
MAX191BCWG+ | 2338 | MAXIME | 16+ | SOIC-24 |
MAX1932ETC+T | 3044 | MAXIME | 13+ | QFN |
MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
MAX253CSA+ | 6562 | MAXIME | 14+ | SOP-8 |
MAX3051EKA+T | 3853 | MAXIME | 14+ | SOT-23 |
MAX3061EEKA | 4024 | MAXIME | 15+ | SOT23-8 |
MAX3070EESD | 5557 | MAXIME | 16+ | SOP-14 |
MAX31865ATP+T | 3707 | MAXIME | 16+ | QFN20 |
MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
MAX3224ECAP | 4095 | MAXIME | 16+ | SSOP-20 |
MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
MAX3232CUE | 3986 | MAXIME | 16+ | TSSOP |
MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
MAX32590-LNJ+ | 553 | MAXIME | 13+ | Na |
MAX3311CUB | 2302 | MAXIME | 16+ | MSOP-10 |
MAX3311EEUB | 2324 | MAXIME | 16+ | MSOP-10 |
MAX3442EEPA+ | 3095 | MAXIME | 16+ | DIP-8 |
MAX3442EESA+T | 5829 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
MAX3486CSA | 15889 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
MAX3490CSA+ | 11077 | MAXIME | 13+ | SOP-8 |
MAX4080SASA+T | 15089 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
MAX418CPD | 3034 | MAXIME | 14+ | DIP-14 |
MAX4624EZT | 15171 | MAXIME | 16+ | SOT23-6 |
MAX4663CAE | 2151 | MAXIME | 16+ | SSOP-16 |
MAX472CPA | 4115 | MAXIME | 15+ | DIP-8 |
MAX491CPD+ | 14840 | MAXIME | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
Zener-geschützter SuperMESH™Power MOSFET
■TYPISCHES Ω 1,76 RDS (an) =
■EXTREM HOHE dv-/dtfähigkeit
■LAWINE 100% PRÜFTE
■TOR-GEBÜHR SETZTE HERAB
■NIEDRIGE TATSÄCHLICHE KAPAZITANZEN
■GUTES HERSTELLUNGSrepeatibility
BESCHREIBUNG
Die SuperMESH™-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten stripbased PowerMESH™-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets einschließlich revolutionäre MDmesh™-Produkte ergä.
ANWENDUNGEN
■HOHER STROM, HOCHGESCHWINDIGKEITSschaltung
■IDEAL FÜR OFFLINEStromversorgung, ADAPTER UND PFC
■BELEUCHTUNG
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN
Symbol | Parameter | Wert | Einheit | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 |
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z STD4NK60Z-1 |
|||
VDS | Abfluss-Quellespannung (VGS = 0) | 600 | V | ||
VDGR | Abfluss-Tor Spannung (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
VGS | Gate-Source-Spannung | ± 30 | V | ||
Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab | 4 | 4 (*) | 4 | |
Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
IDM (•?) | Abfluss-Strom (pulsiert) | 16 | 16 (*) | 16 | |
PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
Herabsetzen des Faktors | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
VESD (G-S) | Torquelle ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
dv/dt (1) | Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung | 4,5 | V/ns | ||
VISO | Isolierungs-Widerstands-Spannung (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg |
Funktionierende Grenzschichttemperatur Lagertemperatur |
-55 bis 150 -55 bis 150 |
°C |
(•??) Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX.
(*) begrenzte nur durch die maximale gewährte Temperatur