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Mosfet-Transistoren der P4NK60ZFP-Energie Mosfet-Transistorhohen leistung

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Isolierungswiderstandsspannung:
2500 V
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Einleitung

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
MAX191BCWG+ 2338 MAXIME 16+ SOIC-24
MAX1932ETC+T 3044 MAXIME 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 TI 13+ SOP-16
MAX232IDW 9003 TI 11+ SOP-16
MAX253CSA+ 6562 MAXIME 14+ SOP-8
MAX3051EKA+T 3853 MAXIME 14+ SOT-23
MAX3061EEKA 4024 MAXIME 15+ SOT23-8
MAX3070EESD 5557 MAXIME 16+ SOP-14
MAX31865ATP+T 3707 MAXIME 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 TI 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 MAXIME 16+ SSOP-20
MAX3232CPWR 5697 TI 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 MAXIME 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 TI 16+ SOP-16
MAX3238ECPWR 8331 TI 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 TI 14+ SSOP-28
MAX3243ECDBR 6741 TI 09+ SSOP-28
MAX32590-LNJ+ 553 MAXIME 13+ Na
MAX3311CUB 2302 MAXIME 16+ MSOP-10
MAX3311EEUB 2324 MAXIME 16+ MSOP-10
MAX3442EEPA+ 3095 MAXIME 16+ DIP-8
MAX3442EESA+T 5829 MAXIME 16+ SOP-8
MAX3486CSA 15889 MAXIME 16+ SOP-8
MAX3490CSA+ 11077 MAXIME 13+ SOP-8
MAX4080SASA+T 15089 MAXIME 16+ SOP-8
MAX418CPD 3034 MAXIME 14+ DIP-14
MAX4624EZT 15171 MAXIME 16+ SOT23-6
MAX4663CAE 2151 MAXIME 16+ SSOP-16
MAX472CPA 4115 MAXIME 15+ DIP-8
MAX491CPD+ 14840 MAXIME 16+ DIP-14

STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

Zener-geschützter SuperMESH™Power MOSFET

TYPISCHES Ω 1,76 RDS (an) =

■EXTREM HOHE dv-/dtfähigkeit

■LAWINE 100% PRÜFTE

■TOR-GEBÜHR SETZTE HERAB

■NIEDRIGE TATSÄCHLICHE KAPAZITANZEN

■GUTES HERSTELLUNGSrepeatibility

BESCHREIBUNG

Die SuperMESH™-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten stripbased PowerMESH™-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets einschließlich revolutionäre MDmesh™-Produkte ergä.

ANWENDUNGEN

HOHER STROM, HOCHGESCHWINDIGKEITSschaltung

■IDEAL FÜR OFFLINEStromversorgung, ADAPTER UND PFC

■BELEUCHTUNG

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN

Symbol Parameter Wert Einheit

STP4NK60Z

STB4NK60Z

STB4NK60Z-1

STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

STD4NK60Z-1

VDS Abfluss-Quellespannung (VGS = 0) 600 V
VDGR Abfluss-Tor Spannung (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Gate-Source-Spannung ± 30 V
Identifikation Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab 4 4 (*) 4
Identifikation Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab 2,5 2,5 (*) 2,5
IDM (•?) Abfluss-Strom (pulsiert) 16 16 (*) 16
PTOT Gesamtableitung an TC = 25°C 70 25 70 W
Herabsetzen des Faktors 0,56 0,2 0,56 W/°C
VESD (G-S) Torquelle ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) 3000 V
dv/dt (1) Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung 4,5 V/ns
VISO Isolierungs-Widerstands-Spannung (DC) - 2500 - V

Tj

Tstg

Funktionierende Grenzschichttemperatur

Lagertemperatur

-55 bis 150

-55 bis 150

°C

(•??) Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld

(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX.

(*) begrenzte nur durch die maximale gewährte Temperatur

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