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Energie STP75NF75 Mosfet-Transistor npn universeller Transistor

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain-source voltage:
75 V
Drain-gate voltage:
75 V
Gate-source voltage:
± 20 V
Peak diode recovery voltage slope:
12 V/ns
Single pulse avalanche energy:
700 mJ
Operating junction & Storage temperature:
-55 to 175 °C
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

STB75NF75

STP75NF75 - STP75NF75FP

N-Kanal 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP -

MOSFETEnergie D2PAKSTripFET™II

Allgemeine Eigenschaften

Art VDSS RDS (an) Identifikation
STB75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75FP 75V <0>80A (1)

1. Strom begrenzt durch Paket

Außergewöhnliche dv-/dtfähigkeit

■Lawine 100% prüfte

Beschreibung

Diese Macht MOSFET-Reihe verwirklichte mit STMicroelectronics, das einzigartiger STripFET™-Prozess speziell entworfen worden ist, um Inputkapazitanz und Torvorwurf herabzusetzen. Es ist deshalb als Primärschalter in modernen highefficiency, lokalisierten DC-DC Hochfrequenzkonvertern für Telekommunikations- und Computeranwendungen passend. Es ist auch für alle mögliche Anwendungen mit niedrigen Tor-Antriebsanforderungen bestimmt.

Anwendungen

Zugeschaltete Anwendung

Absolute Maximalleistungen

Symbol Parameter Wert Einheit
D2PAK/TO-220 TO-220FP
VDS Abfluss-Quellspannung (VGS = 0) 75 V
VDGR Abfluss-Torspannung (RGS = 20KΩ) 75 V
VGS Tor-Quellspannung ± 20 V
Identifikation (1) Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab 80 80
Identifikation (1) Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab 70 70
IDM (2) Abflussstrom (pulsiert) 320 320
PTOT Gesamtableitung an TC = 25°C 300 45 W
Herabsetzen des Faktors 2,0 0,3 W/°C
dv/dt (3) Höchstdiodenwiederaufnahme-Spannungssteigung 12 V/ns
EAS (4) Einzelimpulslawinenenergie 700 mJ
VISO Isolierungswiderstandsspannung (Effektivwert) von allen drei führt zu externen Kühlkörper (t=1s; TC =25°C) -- 2000 V

TJ

Tstg

Funktionierende Grenzschichttemperatur

Lagertemperatur

-55 bis 175 °C

1. Strom begrenzt durch Paket

2. Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld

3. ISD-≤ 80A, di/dt ≤300A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX

4. Beginnen TJ = 25°C, Identifikation = 40A, VDD = 37.5V

Internes schematisches Diagramm

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
STM32F102C8T6 2660 St. 13+ QFP48
STM32F102CBT6 16078 St. 11+ QFP48
STP24DP05BTR 2828 St. 16+ QFP48
TSL1018IF 4920 St. 10+ QFP48
SC56F8034V 2006 FREESCALE 16+ QFP44
SC79854-64J01 15168 MOT 16+ QFP44
UDA1355H 1895 02+ QFP44
TDA9859H/V2 3086 PHI 13+ QFP44
SAA5284GP 2759 PHILIPS 10+ QFP44
TW9900-TA1-GR 3044 INTERSIL 16+ QFP32
SY55858UHG 2294 MICREL 16+ QFP32
TDA8020HL/C2 2036 11+ QFP32
STM8AF6266TC 8784 St. 13+ QFP32
STM8AF6266TCY 5788 St. 14+ QFP32
STM8L151K4T6 29952 St. 14+ QFP32
STM8L152K6T6 2351 St. 16+ QFP32
STM8S005K6T6C 41128 St. 15+ QFP32
STM8S903K3T6CTR 21420 St. 16+ QFP32
STI5105ALC 1604 St. 16+ QFP216
SLA913FFOR 692 EPSON 10+ QFP160
STM32F405ZGT6 572 St. 16+ QFP144
S1D13506F00A200 743 EPSON 13+ QFP128
TW2866-LC1-CR 2015 INTERSIL 14+ QFP128
TW2868-LA2-CR 1586 INTERSIL 16+ QFP128
W83627HG-AW 4108 NUVOTON 13+ QFP128
RTL8110SC-GR 2972 REALTEK 16+ QFP128
RTL8204B-VC 15914 REALTEK 08+ QFP128
RTL8212-GR 1682 REALTEK 14+ QFP128
SCH5514E-NS 1829 SMSC 10+ QFP128
STV0900A 665 St. 13+ QFP128

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