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2SD667 Epitaxial- Transistor des Silikon-NPN, Elektronik-Teiltransistor

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector to base voltage:
120 V
Collector to emitter voltage:
80 V
Emitter to base voltage:
5 V
Collector current:
1 A
Collector peak current:
2 A
Junction temperature:
150 °C
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

2SD667, 2SD667A Silikon NPN Epitaxial-

Anwendung

• Niederfrequenzendverstärker

• Ergänzende Paare mit 2SB647/A

Absolute Maximalleistungen (Ta = 25°C)

Einzelteil Symbol 2SD667 2SD667A Einheit
Kollektor zur niedrigen Spannung VCBO 120 120 V
Kollektor zur Emitterspannung VCEO 80 100 V
Emitter zur niedrigen Spannung VEBO 5 5 V
Kollektorstrom IC 1 1
Spitzenstrom des Kollektors IC (Spitze) 2 2
Kollektorverlustleistung PC 0,9 0,9 W
Grenzschichttemperatur Tj 150 150 °C
Lagertemperatur Tstg – 55 bis +150 – 50 bis +150 °C

Entwurf

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
TS462CN 4060 St. 09+ DIP-8
TS912AIN 30120 St. 12+ DIP-8
TS912IN 25248 St. 16+ DIP-8
TSM101CN 10808 St. 09+ DIP-8
UC3843AL-D08-T 10760 St. 16+ DIP-8
UC3845BD013TR 10778 St. 14+ DIP-8
TNY178PN 14900 ENERGIE 13+ DIP-7
TNY266PN 18692 ENERGIE 15+ DIP-7
TNY268PN 7412 ENERGIE 15+ DIP-7
TNY274PN 11156 ENERGIE 16+ DIP-7
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TNY276PN 6632 ENERGIE 14+ DIP-7
TNY277PG 16374 ENERGIE 13+ DIP-7
TNY278PG 16352 ENERGIE 16+ DIP-7
TNY280PG 20000 ENERGIE 14+ DIP-7
TNY284P 3436 ENERGIE 16+ DIP-7
TNY285P 3720 ENERGIE 14+ DIP-7
TNY286P 4288 ENERGIE 16+ DIP-7
TNY286PG 6916 ENERGIE 13+ DIP-7
TOP221PN 7484 ENERGIE 16+ DIP-7
TOP223PN 8120 ENERGIE 13+ DIP-7
TOP242PN 7768 ENERGIE 16+ DIP-7
TOP243PN 20284 ENERGIE 13+ DIP-7
TOP254PN 17920 ENERGIE 13+ DIP-7
STR-A6252M 17692 SANKEN 08+ DIP-7
R36MF2 17352 SCHARFES 16+ DIP-7
S26MD02 5708 SCHARFES 16+ DIP-7
TDA12165PS/N3/3 710 14+ DIP-64
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