Silikon-Hochspannungstransistoren MMBTA42LT1G-Energie Mosfet-Transistor-NPN
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MMBTA42LT1G, MMBTA43LT1G
Hochspannungstransistoren
NPN-Silikon
Eigenschaften
• Diese Geräte sind Pb−Free, das Halogen Free/BFR, das frei ist und sind konformes RoHS
MAXIMALLEISTUNGEN
| Eigenschaft | Symbol | Wert | Einheit |
|
Collector−Emitter-Spannung MMBTA42 MMBTA43 |
VCEO |
300 200 |
VDC |
|
Collector−Base-Spannung MMBTA42 MMBTA43 |
VCBO |
300 200 |
VDC |
|
Emitter−Base-Spannung MMBTA42 MMBTA43 |
VEBO |
6,0 6,0 |
VDC |
| Kollektorstrom − ununterbrochen | IC | 500 | mAdc |
THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
| Eigenschaft | Symbol | Wert | Einheit |
|
Gesamtbrett der gerät-Ableitungs-FR−5 (Anmerkung 1) TA = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
225 1,8 |
mW mW/°C |
|
Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient |
RθJA |
556 |
°C/W |
|
Gesamtgerät-Ableitungs-Tonerde-Substrat (Anmerkung 2) TA = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
300 2,4 |
mW mW/°C |
| Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient | RθJA | 417 | °C/W |
| Kreuzung und Lagertemperatur | TJ, Tstg | −55 bis +150 | °C |
Die Drücke, die Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät. Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen. Funktionsoperation über den empfohlenen Betriebsbedingungen wird nicht bedeutet. Verlängerte Aussetzung zu den Drücken über den empfohlenen Betriebsbedingungen beeinflußt möglicherweise Gerätzuverlässigkeit.
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 Zoll.
2. Tonerde = 0,4 x 0,3 x 0,024 Zoll. Tonerde 99,5%.
GEHÄUSEABMESSUNGEN
SOT−23 (TO−236)
FALL 318−08
FRAGE AP
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| LPC4078FBD208 | 2821 | 16+ | QFP208 | |
| LPS331APTR | 6770 | St. | 16+ | LGA16 |
| LPS4012-152MLC | 4955 | COILCRAFT | 08+ | SMD |
| LPS6225-103MLC | 9148 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
| LQG18HNR10J00D | 24000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LQH32CNR47M33L | 113000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQH43MN1R0M03L | 13000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LQW15AN13NG00D | 3000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQW18AN3N9C10D | 16000 | MURATA | 13+ | SMD |
| LQW18ANR22G00D | 12000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQW2BASR15J00L | 61000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQW2BHNR47K03L | 55000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LS4448-GS08 | 20000 | VISHAY | 16+ | LL34 |
| LSM303DLHTR | 10067 | St. | 16+ | LGA |
| LT1004CDR-2-5 | 3519 | TI | 12+ | SOP-8 |
| LT1009IS8#PBF | 7519 | LINEAR | 14+ | SOP-8 |
| LT1013DIDR | 7843 | TI | 16+ | SOP-8 |
| LT1072CN8 | 8677 | LT | 13+ | DIP-8 |
| LT1085CT-12 | 4387 | LT | 16+ | TO-220 |
| LT1117CST | 1387 | LINEAR | 15+ | SOT223 |
| LT1373CS8 | 4358 | LT | 13+ | SOP-8 |
| LT1460GIZ-5 | 3179 | LT | 16+ | TO-92 |
| LT1611CS5 | 15029 | LT | 15+ | SOT23-5 |
| LT1764AEQ-1.5#PBF | 4513 | LINEAR | 14+ | TO-263 |
| LT1764AEQ-1.8#TRPBF | 2400 | LT | 09+ | TO263-5 |
| LT1764AEQ-3.3 | 3962 | LT | 15+ | TO-263 |
| LT1783CS5 | 3598 | LT | 14+ | SOT-153 |
| LT1806CS8 | 3157 | LT | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| LT1931AES5#TRPBF | 4880 | LINEAR | 06+ | SOT23-5 |
| LT1931ES5#TRPBF | 4368 | LINEAR | 16+ | SOT23-5 |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC