Silikon-Transistor-Vorlage 2SC5242 3 Pin Transistor NPN Epitaxial-
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Silikon-Transistor-Vorlage 2SC5242 3 Pin Transistor NPN Epitaxial-
Epitaxial- Silikon-Transistor 2SC5242 NPN
Anwendungen
• KlaCM GROUPreuer Audioausgang-Verstärker
• Universelle Endverstärker-Eigenschaften
• Hohe gegenwärtige Fähigkeit: IC = 15A
• Ableitung der hohen Leistung: 130watts
• Hochfrequenz: 30MHz.
• Hochspannung: VCEO=230V
• Breites S.O.A für zuverlässige Operation.
• Ausgezeichnete Gewinn-Linearitäten für niedriges THD.
• Ergänzung zu 2SA1962/FJA4213.
• Thermische und elektrische Gewürzmodelle sind verfügbar
• Der gleiche Transistor ist auch herein verfügbar: --Paket TO264,
2SC5200/FJL4315: 150 Watt --Paket TO220,
FJP5200: 80 Watt --TO220F-Paket, FJPF5200: 50 Watt
Absolutes maximales Ratings* Ta = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | Bewertungen | Einheiten |
| BVCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 230 | V |
| BVCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 230 | V |
| BVEBO | Emitter-Basis-Spannung | 5 | V |
| IC | Kollektorstrom (DC) | 15 | |
| IB | Grundlegender Strom | 1,5 | |
| PD | Gesamtgerät-Ableitung (TC=25°C) setzen über 25°C herab |
130 1,04 |
W W/°C |
| TJ, TSTG | Kreuzung und Lagertemperatur | -50-+150 | °C |
* diese Bewertungen sind Grenzwerte, über denen die Brauchbarkeit möglicherweise jedes möglichen Halbleiterbauelements gehindert wird.
Thermisches Characteristics* Ta=25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | MAXIMUM. | Einheit |
| RθJC | Thermischer Widerstand, zu umkleiden Kreuzung | 0,96 | W/°C |
* Gerät angebracht an der minimalen Auflagengröße
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