Leistungstransistoren des Silikon-PNP (Endverstärker-Anwendungen) 2SA1943
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W Durchkontaktierung TO-3P(L)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
-230 V
Collector-emitter voltage:
-230 V
Emitter-Basisspannung:
-5 V
Collector current:
-15 A
Base current:
-1.5 A
Collector power dissipation:
150 W
Junction temperature:
150℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Höhepunkt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Leistungstransistoren 2SA1943 des Silikon-PNP
BESCHREIBUNG
·Mit TO-3PL Paket
·Ergänzung, zum von 2SC5200 zu schreiben
ANWENDUNGEN
·Endverstärkeranwendungen
·Empfohlen für hohe Wiedergabetreue 100W
Tonfrequenzverstärkerendstufe
FESTSTECKEN
| PIN | BESCHREIBUNG |
| 1 | Emitter |
| 2 |
Kollektor; angeschlossen an Befestigungsplatte |
| 3 | Basis |
EIGENSCHAFTEN Tj=25℃ wenn nicht anders angegeben
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | MINUTE | ART. | Max | EINHEIT |
| V (BR) CEO | Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | IC =-50mA; IB =0 | -230 | V | ||
| VCEsat | Kollektor-Emitter Sättigungsspannung | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
| VBE | Grundsenderspannung | IC =-7A; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
| ICBO | Kollektorsperrstrom | VCB =-230V; IE =0 | -5 | μA | ||
| IEBO | Emittersperrstrom | VEB =-5V; IC =0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | Gleichstromverstärkung | IC =-1A; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | Gleichstromverstärkung | IC =-7A; VCE =-5V | 35 | |||
| fT | Übergangsfrequenz | IC =-1A; VCE =-5V | 30 | MHZ | ||
| PFEILER | KollektorAusgangskapazität | f=1MHz; VCB =-10V | 360 | PF |
hFE-1 Klassifikationen
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
PAKET-ENTWURF
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