HEXFET-Energie MOSFET-Silikonleistungstransistoren IRF3205PBF
npn smd transistor
,silicon power transistors
?
• Moderner Prozess
• Technologie? Ultra niedriger Auf-Widerstand?
• Dynamische dv-/dtbewertung?
• 175°C Betriebstemperatur?
• Schnelle Schaltung?
• Völlig Lawine veranschlagt?
• Bleifrei
Beschreibung
Moderne HEXFET®-Energie MOSFETs von internationalem
Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um zu erzielen
extrem - niedriger Aufwiderstand pro Silikonbereich. Dieser Nutzen,
kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized
Gerätentwurf, dass HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind
für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und
zuverlässiges Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle bevorzugt
Handels-industrielle Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus
zu ungefähr 50 Watt. Der niedrige thermische Widerstand und
niedrige Paketkosten des TO-220 tragen zu seinem breiten bei
Annahme während der Industrie.
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