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Energie TIP122 Mosfet-Transistor-ergänzende Silikon-Energie DarliCM GROUPon Transistors

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Emitter-Basisspannung:
5 V
Collector Current:
5 A
Collector Peak Current:
8 A
Base Current:
0.1 A
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung

TIP120/121/122

TIP125/126/127

ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DER SILIKON-ENERGIE-DARLICM GROUPON

STMicroelectronics BEVORZUGTE SALESTYPES

BESCHREIBUNG

Die TIP120, die TIP121 und die TIP122 sind Leistungstransistoren Silikon Epitaxial-Basis NPN in monolithischer DarliCM GROUPon-Konfiguration, die in Plastikpaket Jedec TO-220 angebracht wird. Sie intented für Gebrauch in den linearen und zugeschalteten Anwendungen der Energie. Die ergänzenden PNP-Arten sind TIP125, TIP126 und TIP127, beziehungsweise.

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN

Symbol Parameter Wert Einheit
NPN TIP120 TIP121 TIP122
PNP TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Kollektor-Basis-Spannung (IE = 0) 60 80 100 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung (IB = 0) 60 80 100 V
VEBO INTERNES SCHEMATISCHES DIAGRAMM (IC = 0) 5 V
IC Kollektorstrom 5
ICM Kollektor-Spitzenstrom 8
IB Niedriger Strom 0,1
Ptot

Gesamtableitung an Tcase-≤ 25 ℃

Tamb-≤ 25 ℃

65

2

W
Tstg Lagertemperatur -65 bis 150
Tj Grenzschichttemperatur Max. Operating 150

TO-220 INTERNES SCHEMATISCHES DIAGRAMM

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