Niedrige gegenwärtige 5 ein Leistungstransistoren BD911 3 Pin Transistor Silicon NPN
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector-base voltage:
80 v
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current:
15 A
Base current:
Base current 5 A
Collector power dissipation:
90 W
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Leistungstransistoren BD909 BD911 des Silikon-NPN
BESCHREIBUNG ·
·Mit TO-220C Paket
·Ergänzung, zum von BD910 BD912 zu schreiben
ANWENDUNGEN ·
Intented für Gebrauch in den linearen und zugeschalteten Anwendungen der Energie
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | WERT | EINHEIT |
| VEBO | Emitter-Basisspannung | Open-Collector | 5 | V |
| IC | Kollektorstrom | 15 | ||
| IB | Niedriger Strom | 5 | ||
| PC | PC Kollektorverlustleistung | TC≤25℃ | 90 | W |
| Tj | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ |
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