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IRFI4020H-117P Energie Mosfet-Transistor DIGITAL-AUDIO MOSFET 200 V

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Mosfet-Array 200 V, 9,1 A, 21 W, Durchgangsloch, TO-220-5, vollgepackt
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VDS:
200 V
RDS(ON) typ. @ 10V:
80 m
Qg typ.:
19 nC
Qsw typ:
6.8 nC
RG(int) typ.:
3.0 Ω
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung

Eigenschaften

? Integriertes Halbbrückepaket?

►? Verringert die Teilzählung um eine Hälfte?

►? Erleichtert besseren PWB-Plan?

►? Schlüsselparameter optimierten für Klassen-daudioverstärkeranwendungen?

►? Niedriges RDS (AN) für verbesserte Leistungsfähigkeit?

►? Niedriges Qg und Qsw für besseres THD und verbesserte Leistungsfähigkeit? Niedriges Qrr für besseres THD und niedrigere EMS?

►? Dosenlieferung bis zu 300W pro Kanal in 8Ω Last im Halbbrückekonfigurationsverstärker?

►? Bleifreies Paket

Beschreibung

Diese Digital-Audio MosFET-Halbbrücke ist speziell für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D bestimmt. Sie besteht aus zwei Energie MosFET-Schaltern, die in der Halbbrückekonfiguration angeschlossen werden. Der späteste Prozess wird verwendet, um niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich zu erzielen. Außerdem werden Torvorwurf, Körperdiodenrückwiederaufnahme und interner Torwiderstand optimiert, um Audioverstärker-Leistungsfaktoren der Schlüsselklasse D wie Leistungsfähigkeit, THD und EMS zu verbessern. Diese kombinieren, um diese Halbbrücke ein in hohem Grade leistungsfähiges, robustes und zuverlässiges Gerät für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D herzustellen.

Parameter Maximal Einheiten
VDS Abfluss-zu-Quellspannung 200 V
VGS Tor-zu-Quellspannung ±20 V
Identifikation @ TC = 25°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 9,1

Identifikation @ TC = 100°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 5,1

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