IRFI4020H-117P Energie Mosfet-Transistor DIGITAL-AUDIO MOSFET 200 V
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Eigenschaften
►? Integriertes Halbbrückepaket?
►? Verringert die Teilzählung um eine Hälfte?
►? Erleichtert besseren PWB-Plan?
►? Schlüsselparameter optimierten für Klassen-daudioverstärkeranwendungen?
►? Niedriges RDS (AN) für verbesserte Leistungsfähigkeit?
►? Niedriges Qg und Qsw für besseres THD und verbesserte Leistungsfähigkeit? Niedriges Qrr für besseres THD und niedrigere EMS?
►? Dosenlieferung bis zu 300W pro Kanal in 8Ω Last im Halbbrückekonfigurationsverstärker?
►? Bleifreies Paket
Beschreibung
Diese Digital-Audio MosFET-Halbbrücke ist speziell für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D bestimmt. Sie besteht aus zwei Energie MosFET-Schaltern, die in der Halbbrückekonfiguration angeschlossen werden. Der späteste Prozess wird verwendet, um niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich zu erzielen. Außerdem werden Torvorwurf, Körperdiodenrückwiederaufnahme und interner Torwiderstand optimiert, um Audioverstärker-Leistungsfaktoren der Schlüsselklasse D wie Leistungsfähigkeit, THD und EMS zu verbessern. Diese kombinieren, um diese Halbbrücke ein in hohem Grade leistungsfähiges, robustes und zuverlässiges Gerät für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D herzustellen.
Parameter | Maximal | Einheiten | |
VDS | Abfluss-zu-Quellspannung | 200 | V |
VGS | Tor-zu-Quellspannung | ±20 | V |
Identifikation @ TC = 25°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V | 9,1 | |
Identifikation @ TC = 100°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V | 5,1 |