P10NK80ZFP-smd Energie mosfet-Energie Mosfet-Transistor N-KANAL Zener-geschützter SuperMESHPower⑩ MOSFET
npn smd transistor
,silicon power transistors
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP STW10NK80Z
N-KANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-schützte SuperMESH™Power MOSFET
| ART | VDSS | RDS (an) | Identifikation | Pw |
|
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z |
800 V 800 V 800 V |
< 0=""> < 0=""> < 0=""> |
9 A 9 A 9 A |
160 W 40 W 160 W |
■TYPISCHES RDS (an) = 0,78 Ω
■EXTREM HOHE dv-/dtfähigkeit
■LAWINE 100% PRÜFTE
■TOR-GEBÜHR SETZTE HERAB
■NIEDRIGE TATSÄCHLICHE KAPAZITANZEN
■GUTES HERSTELLUNGSrepeatibility
BESCHREIBUNG
Die SuperMESH™-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten stripbased PowerMESH™-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets einschließlich revolutionäre MDmesh™-Produkte ergä.
ANWENDUNGEN
■HOHER STROM, HOCHGESCHWINDIGKEITSschaltung
■SCHALTER-MODUS-STROMVERSORGUNG
■DC-AC KONVERTER FÜR SCHWEISSEN, UPS UND MOTORANTRIEB
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | ||
| STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
| VDS | Abfluss-Quellespannung (VGS = 0) | 800 | V | ||
| VDGR | Abfluss-Tor Spannung (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
| VGS | Gate-Source-Spannung | ± 30 | V | ||
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab | 9 | 9 (*) | 9 | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab | 6 | 6 (*) | 6 | |
| IDM (? •?) | Abfluss-Strom (pulsiert) | 36 | 36 (*) | 36 | |
| PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Torquelle ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 4 | KV | ||
| dv/dt (1) | Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Isolierungs-Widerstands-Spannung (DC) | - | 2500 | - | V |
|
Tj Tstg |
Funktionierende Grenzschichttemperatur Lagertemperatur |
-55 bis 150 -55 bis 150 |
°C °C |
||
(? •?) Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX.
(*) begrenzte nur durch die maximale gewährte Temperatur.
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
| BD82Q57 SLGZW | 423 | INTEL | 10+ | BGA |
| X28HC64P-12 | 2500 | XICOR | 13+ | DIP-28 |
| 8909000938* | 1024 | BOSCH | 14+ | QFP |
| 8905507184* | 1013 | BOSCH | 15+ | QFP |
| M48T08-150PC1 | 3594 | St. | 14+ | BAD |
| LM318N | 4965 | NSC | 14+ | DIP-8 |
| NTD2955-1G | 4500 | AUF | 14+ | TO-251 |
| PCF7936AS | 2700 | 14+ | TRUNKENBOLD | |
| LPV358MX | 6254 | 14+ | SOP-8 | |
| XC5VSX50T-1FFG665I | 178 | XILINX | 10+ | BGA |
| PCF7935AS | 2780 | 16+ | TRUNKENBOLD | |
| LTC4413EDD#TRPBF | 6259 | LINEAR | 10+ | QFN |
| LPC1114FBD48/302 | 2731 | 15+ | QFP | |
| NC7SZ175P6X | 38000 | FAIRCHILD | 16+ | SC70-6 |
| LM340T-12 | 10000 | NSC | 15+ | TO-220 |
| MAX6301CSA+T | 4137 | MAXIME | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MAX3232ECAE+T | 11300 | MAXIME | 16+ | SSOP |
| XR2206CP | 4000 | EXAR | 14+ | DIP-16 |
| OPA544T | 7920 | TI | 14+ | TO-220 |
| PCA9517DR | 12120 | TI | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MC1455P1G | 8399 | AUF | 15+ | BAD |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC