Nachricht senden
Haus > produits > elektronische IC-Chips > Kühler MOS™ Leistungstransistor npn SPA04N60C3XKSA1 darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor-

Kühler MOS™ Leistungstransistor npn SPA04N60C3XKSA1 darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor-

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain-source breakdown voltage:
600 V
Drain-Source avalanche breakdown voltage:
700 V
Gate threshold voltage:
3 V
Zero gate voltage drain current (Tj =25°C):
0.5 µA
Gate-source leakage current:
100 nA
Gate input resistance:
0.95 Ω
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Einleitung


SPP04N60C3, SPB04N60C3
Abschließende Daten SPA04N60C3

Kühler MOSô-Leistungstransistor

VDS @ Tjmax 650 V
RDS (an) 0,95
Identifikation 4,5

Eigenschaft
• Neue revolutionäre Hochspannungstechnik
• Ultra niedrige Torgebühr
• Periodische Lawine veranschlagte
• Extremes dv/dt veranschlagte
• Hohe Spitzenstromfähigkeit
• Verbesserter Transconductance
• P-TO-220-3-31: Völlig lokalisiertes Paket (2500 VAC; 1 Minute)

P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1


Maximalleistungen

Parameter Symbol Wert Einheit
SPP_B BADEKURORT

Ununterbrochener Abflussstrom

TC = °C 25

TC = °C 100

Identifikation

4,5

2,8

4,51)

2,81)

Pulsierter Abflussstrom, TP begrenzte durch Tjmax Identifikations-Puls 13,5 13,5
Lawinenenergie, Einzelimpuls Identifikation =3.4, VDD =50V EAS 130 130 mJ
Lawinenenergie, sich wiederholender Teer begrenzt durch Tjmax 2) Identifikation =4.5A, VDD =50V OHR 0,4 0,4 mJ
Lawine gegenwärtig, sich wiederholender Teer begrenzt durch Tjmax IAR 4,5 4,5
Gate-Source-Spannung statisch VGS ±20 ±20 V
Gate-Source-Spannung Wechselstrom (f >1Hz) VGS ±30 ±30
Verlustleistung, TC = 25°C Ptot 50 31 W
Funktionieren und Lagertemperatur Tj, Tstg -55… +150 °C

Lassen Sie Quellspannungssteigung ab
VDS = 480 V, Identifikation = 4,5 A, Tj = °C 125

dv/dt 50 V/ns


P-TO-220-3-1


P-TO-263-3-2 (D2-PAK)


P-TO-220-3-31 (FullPAK)


Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Q'ty MFG D/C Paket
MC14536BDWR2G 6563 AUF 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LT5400BCMS8E-4#PBF 4130 LINEAR 16+ MSOP
MC4741CD 3556 MOT 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
PIC10F322T-I/OT 9250 MIKROCHIP 16+ TRUNKENBOLD
MC14584BDR2G 10000 AUF 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LT1014DSW#TRPBF 8146 LT 14+ SOP-16
MC145152DW2 5186 FREESCAL 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MC78M05CDTX 10000 FAI 16+ SOT-252
MBM29F040C-90PD-SFL 14690 FUJITSU 16+ PLCC
L6563TR 3752 St. 15+ SOP14
MUR1560G 7604 AUF 16+ TO-220
MUR840G 7300 AUF 16+ TO-220
MMSZ4682T1G 25000 AUF 16+ SOD-123
MC68HC908QY4ACDWE 3820 FREESCALE 16+ SOIC
MB8431-90LPFQ 3226 FUJI 16+ QFP
MMSZ5246BT1G 30000 AUF 16+ SOD-123
LM5642MTCX 1833 NSC 14+ TSSOP-28
PIC16F1829-I/SS 5263 MIKROCHIP 16+ SSOP
L4940V12 3675 St. 14+ TO-220
RA8875L3N 1200 RAIO 15+ TQFP-100
MB8421-90LPFQ-GE1 3165 FUJI 14+ QFP





VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs