STP20NM50FP-npn darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor N-KANAL MDmesh? Energie MOSFET
npn smd transistor
,silicon power transistors
STB20NM50 - STB20NM50-1
STP20NM50 - STP20NM50FP
N-KANAL 550V@Tjmax - 0.20Ω - 20A - TO220/FP-D ² PAK-I ² PAK
Zener-geschützter SuperMESH™ MOSFET
Allgemeine Eigenschaften
| Art | VDSS (@Tj maximal) | RDS (an) | Identifikation |
|
STB20NM50 STB20NM50-1 STP20NM50 STP20NM50FP |
550 V 550 V 550 V 550 V |
<0> <0> <0> <0> |
20 A 20 A 20 A 20 A |
■HOHE dv-/dt UND LAWINEN-FÄHIGKEITEN
■LAWINE 100% PRÜFTE
■NIEDRIGE EINGEGEBENE KAPAZITANZ-UND TOR-GEBÜHR
■NIEDRIGER TOR-EINGANGSWIDERSTAND
Beschreibung
Das MDmesh™ ist eine neue revolutionäre MOSFET-Technologie, die den mehrfachen Abflussprozeß mit dem das PowerMESH™horizontal-Plan der Firma verbindet. Das resultierende Produkt hat einen hervorragenden niedrigen Aufwiderstand, eindrucksvoll hohes dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschafts- und dynamischeleistungen.
Anwendungen
Die MDmesh™-Familie ist für Machtzuwachsdichte von Hochspannungskonvertern sehr passend, Systemminiaturisierung andhiher Leistungsfähigkeit erlaubend.
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | |
| TO-220/D ² PAK/I ² PAK | TO-220FP | |||
| VGS | Tor-Quellspannung | ± 30 | V | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab | 20 | 20 (Anmerkung 3) | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab | 12,6 | 12,6 (Anmerkung 3) | |
| IDM-Anmerkung 2 | Abfluss-Strom (pulsiert) | 80 | 80 (Anmerkung 3) | |
| PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 192 | 45 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 1,2 | 0,36 | W/°C | |
| dv-/dtanmerkung 1 | Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung | 15 | V/ns | |
| VISO | Isolierungs-Widerstand Volatge (DC) | - | 2000 | V |
|
Tj Tstg |
Funktionierende Grenzschichttemperatur Lagertemperatur |
-65 bis 150 | °C | |
Paket
Internes schematisches Diagramm
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
| LM4652TF | 1435 | NSC | 13+ | ZIP-15 |
| PIC24FJ64GB106-I/PT | 4118 | MIKROCHIP | 16+ | TQFP |
| LM4651N | 1543 | NSC | 14+ | DIP-28 |
| PC3H711NIP | 30000 | SCHARFES | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PC3Q67QJ000F | 11500 | SCHARFES | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MC68302PV16C | 3628 | MOT | 10+ | QFP |
| LMH0356SQE | 437 | TI | 15+ | WQFN-48 |
| LMH0036SQE | 1226 | NSC | 12+ | LLP |
| CY7B1399B-15VC | 500 | ZYPRESSE | 01+ | SOJ |
| MAX3232EEUE+T | 11450 | MAXIME | 16+ | TSSOP |
| PIC18F66K22-I/PT | 4308 | MIKROCHIP | 14+ | QFP |
| PESD5V0S1BA | 25000 | 16+ | RASEN | |
| NUP5150MUTBG | 5340 | AUF | 16+ | QFN |
| CS4954-CQZR | 2476 | CIRRUS | 10+ | TQFP-48 |
| MIC2951-02YM | 6460 | MICREL | 11+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MUR1620CTG | 10000 | AUF | 16+ | TO-220 |
| MKL25Z128VLK4 | 1070 | FREESCALE | 14+ | LQFP |
| BD82H61 SLJ4B | 340 | INTEL | 13+ | BGA |
| MBR0540T1G | 20000 | AUF | 15+ | SOD-123 |
| SAP16PO | 300 | SANKEN | 06+ | TO-3P |
| M48T02-120PC1 | 3607 | St. | 15+ | BAD |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC