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IRFZ44NPBF-Energie Mosfet-Transistorenergie mosfet IC elektrisches IC

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Continuous Drain Current:
49 A
Pulsed Drain Current:
160 A
Power Dissipation:
94 W
Linear Derating Factor:
0.63 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Repetitive Avalanche Energy:
9.4 mJ
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
STU404D 5000 SAMHOP 15+ TO252
TB6560AHQ 5000 TOSHIBA 16+ REISSVERSCHLUSS
TC4001BP 5000 TOSHIBA 16+ DIP-14
TCA785 5000 INFINECN 14+ BAD
TCN75AVOA 5000 MIKROCHIP 14+ SOIC-8
TCN75AVOA713 5000 MIKROCHIP 14+ SOP8
TDA1524A 5000 16+ BAD
TL072CP 5000 TI 16+ DIP8
TLP127 5000 TOSHIBA 13+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
TLP620-4 5000 TOSHIBA 15+ BAD
TOP244YN 5000 ENERGIE 16+ TO-220
TS274CDT 5000 St. 16+ SOP-14
TS924AIDT 5000 St. 14+ SOP-14
UC3844BD ST. 5000 St. 14+ SOP8
UDA1341TS 5000 14+ SSOP28
VIPER22A 5000 St. 16+ DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R1 5000 TDK 16+ SMD
PBSS5160T 5001 13+ SOT-23
PL2303 5001 REICH 15+ SSOP
NDT451AN 5002 FSC 16+ SOT223
MAX1681ESA 5008 MAXIME 16+ SOP8
HFJ11-2450E-L12 5009 HALOELECT 14+ RJ45
L6598 5010 St. 14+ SOP16
ZM4744A 5100 VISHAY 14+ LL41
HCNW136 5101 AVAGO 16+ DIP8
CQ1565RT 5111 FAIRCHILD 16+ TO-220
FZT758TA 5111 ZETEX 13+ SOT223
LM324DR 5111 TI 15+ SOP-14
TFA9842 5112 16+ REISSVERSCHLUSS
MAX483ESA 5117 MAXIME 16+ SOP-8

IRFZ44NPbF

HEXFET®-Energie MOSFET

  • Moderne Verfahrenstechnik?
  • Ultra niedriger Auf-Widerstand?
  • Dynamische dv-/dtbewertung?
  • 175°C Betriebstemperatur?
  • Schnelle Schaltung?
  • Völlig Lawine veranschlagt?
  • Bleifrei

VDSS = 55V

RDS (an) = 17.5mΩ

Identifikation = 49A

Beschreibung

Moderne HEXFET®-Energie MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.

Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei.

Absolute Maximalleistungen

Parameter Maximum. Einheiten
Identifikation @ TC = 25°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 49
Identifikation @ TC = 100°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 35
IDM Pulsierter Abfluss-Strom? 160
PD @TC = 25°C Verlustleistung 94 W
Linearer herabsetzender Faktor 0,36 W/°C
VGS Tor-zu-Quellspannung ± 20 V
IAR Lawinen-Strom? 25
OHR Sich wiederholende Lawinen-Energie? 9,4 mJ
dv/dt Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Funktionierende Kreuzung und

Lagertemperaturbereich

-55 bis + 175 °C
Löttemperatur, für 10 Sekunden 300 (1.6mm vom Fall) °C
Befestigung Drehmoment, 6-32 oder srew M3 10 lbF•in (1.1N•m)

TO-220AB Paket-Entwurf

Maße werden gezeigt in den Millimeter (Zoll)

TO-220AB Teil-Markierungsinformationen

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20pcs