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IRF3205ZPBF AUTOMOBILmosfet mosfet-Schaltleistung mosfet-geringer Energie

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited):
110 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
78 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited):
75 A
Pulsed Drain Current:
440 A
Power Dissipation:
170 W
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung

BESTANDSLISTE


ICL3222CB 4100 INTERSIL 12+ SOP18
SGA-5486 4100 SIRENZA 16+ SMT86
TEA1098ATV 4100 12+ SSOP
NCP1271ADR 4110 AUF 16+ SOP7
FKV550T 4111 SANKEN 16+ TO220F
EPM570F256C5N 4117 ALTERA 16+ BGA256
MC33063AP1 4117 AUF 16+ DIP8
DS32ELX0421SQE 4120 NS 16+ LLP48
P2503NPG 4120 NIKOS 14+ DIP8
TPS70751PWPR 4120 TI 16+ TSSOP
HCPL4504 4121 AVAGO 16+ BAD
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OZ8602GN 4141 MIKRO 15+ SOP-16
CNY70 4177 VISHAY 12+ DIP-4
DS26LS32ACMX 4177 NS 16+ SOP16
AD517JH 4200 ANZEIGE 12+ TO-78
ATMEGA169PV-8AU 4200 ATMEL 16+ QFP-64
CDRH2D18/HP-2R2NC 4200 SUMIDA 16+ SMD
IPD06N03LAG 4200 16+ TO-252
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SG6841DZ 4200 SG 14+ DIP-8
SN75HVD3082EP 4200 TI 16+ BAD
BSP450 4210 16+ SOT223
HD74LS14P-E-Q 4210 RENESAS 15+ DIP14
TLZ5V1C 4210 VISHAY 16+ LL-34
PCF8593T 4211 15+ SOP8
BDW94C 4250 St. 12+ TO-220
LQM21FN1R0N00D 4250 MURATA 16+ SMD
AT93C66-10SU-2.7 4252 ATMEL 12+ SOP-8
2N3906 4287 AUF 16+ TO-92
DS18B20 4444 MAXIME 16+ TO-92
95SQ015 4456 IR 16+ DO-204AD
PDTC143ET 4477 16+ SOT-23
BZX284-C12 4480 PHI 16+ SOD-323
1SMB5920BT3G 4500 AUF 14+ DO-214AA
1SMB5922BT3G 4500 AUF 16+ DO-214AA
1SMB5929BT3G 4500 AUF 16+ DO-214AA
82C250T 4500 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
ADM202EAN 4500 ANZEIGE 16+ BAD


IRF3205ZPBF

AUTOMOBILmosfet MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie

Eigenschaften

?► Moderne Verfahrenstechnik?

?► Ultra niedriger Auf-Widerstand

?► ? 175°C Betriebstemperatur?

?► Schnelle Schaltung?

?► Sich wiederholende Lawine erlaubt bis zu Tjmax

?► Bleifrei

Beschreibung

Speziell entworfen für Automobilanwendungen, verwendet Identifikation = 75A dieser HEXFETÆ-Energie MOSFET die spätesten Verfahrenstechniken, um - niedriges onresistance pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Zusätzliche Eigenschaften dieses Entwurfs sind eine Betriebstemperatur der Kreuzung 175°C, schneller Schaltverzögerung und verbesserter sich wiederholender Lawinenbewertung. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen Entwurf ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für Gebrauch in den Automobilanwendungen und eine große Vielfalt von anderen Anwendungen zu machen.

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