IRF3205ZPBF AUTOMOBILmosfet mosfet-Schaltleistung mosfet-geringer Energie
npn smd transistor
,multi emitter transistor
BESTANDSLISTE
ICL3222CB | 4100 | INTERSIL | 12+ | SOP18 |
SGA-5486 | 4100 | SIRENZA | 16+ | SMT86 |
TEA1098ATV | 4100 | 12+ | SSOP | |
NCP1271ADR | 4110 | AUF | 16+ | SOP7 |
FKV550T | 4111 | SANKEN | 16+ | TO220F |
EPM570F256C5N | 4117 | ALTERA | 16+ | BGA256 |
MC33063AP1 | 4117 | AUF | 16+ | DIP8 |
DS32ELX0421SQE | 4120 | NS | 16+ | LLP48 |
P2503NPG | 4120 | NIKOS | 14+ | DIP8 |
TPS70751PWPR | 4120 | TI | 16+ | TSSOP |
HCPL4504 | 4121 | AVAGO | 16+ | BAD |
OP177GP | 4122 | ANZEIGE | 15+ | DIP-8 |
24LC512-I/SM | 4130 | MIKROCHIP | 16+ | SOP-8 |
OZ8602GN | 4141 | MIKRO | 15+ | SOP-16 |
CNY70 | 4177 | VISHAY | 12+ | DIP-4 |
DS26LS32ACMX | 4177 | NS | 16+ | SOP16 |
AD517JH | 4200 | ANZEIGE | 12+ | TO-78 |
ATMEGA169PV-8AU | 4200 | ATMEL | 16+ | QFP-64 |
CDRH2D18/HP-2R2NC | 4200 | SUMIDA | 16+ | SMD |
IPD06N03LAG | 4200 | 16+ | TO-252 | |
OP07CP | 4200 | TI | 16+ | DIP8 |
PIC18F2520-I/SO | 4200 | MIKROCHIP | 16+ | SOP-28 |
SG6841DZ | 4200 | SG | 14+ | DIP-8 |
SN75HVD3082EP | 4200 | TI | 16+ | BAD |
BSP450 | 4210 | 16+ | SOT223 | |
HD74LS14P-E-Q | 4210 | RENESAS | 15+ | DIP14 |
TLZ5V1C | 4210 | VISHAY | 16+ | LL-34 |
PCF8593T | 4211 | 15+ | SOP8 | |
BDW94C | 4250 | St. | 12+ | TO-220 |
LQM21FN1R0N00D | 4250 | MURATA | 16+ | SMD |
AT93C66-10SU-2.7 | 4252 | ATMEL | 12+ | SOP-8 |
2N3906 | 4287 | AUF | 16+ | TO-92 |
DS18B20 | 4444 | MAXIME | 16+ | TO-92 |
95SQ015 | 4456 | IR | 16+ | DO-204AD |
PDTC143ET | 4477 | 16+ | SOT-23 | |
BZX284-C12 | 4480 | PHI | 16+ | SOD-323 |
1SMB5920BT3G | 4500 | AUF | 14+ | DO-214AA |
1SMB5922BT3G | 4500 | AUF | 16+ | DO-214AA |
1SMB5929BT3G | 4500 | AUF | 16+ | DO-214AA |
82C250T | 4500 | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
ADM202EAN | 4500 | ANZEIGE | 16+ | BAD |
IRF3205ZPBF
AUTOMOBILmosfet MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie
Eigenschaften
?► Moderne Verfahrenstechnik?
?► Ultra niedriger Auf-Widerstand
?► ? 175°C Betriebstemperatur?
?► Schnelle Schaltung?
?► Sich wiederholende Lawine erlaubt bis zu Tjmax
?► Bleifrei
Beschreibung
Speziell entworfen für Automobilanwendungen, verwendet Identifikation = 75A dieser HEXFETÆ-Energie MOSFET die spätesten Verfahrenstechniken, um - niedriges onresistance pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Zusätzliche Eigenschaften dieses Entwurfs sind eine Betriebstemperatur der Kreuzung 175°C, schneller Schaltverzögerung und verbesserter sich wiederholender Lawinenbewertung. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen Entwurf ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für Gebrauch in den Automobilanwendungen und eine große Vielfalt von anderen Anwendungen zu machen.