Energie IRF3415 MOSFET-Hochspannungsenergie mosfet-Doppelenergie mosfet
npn smd transistor
,multi emitter transistor
BESTANDSLISTE
AT24C512B-PU | 4500 | ATMEL | 15+ | DIP-8 |
BDP949 | 4500 | 12+ | SOT-223 | |
BYT01-400 | 4500 | St. | 16+ | Na |
BYW96E | 4500 | PHILIPS | 12+ | SOD64 |
DF08S/27 | 4500 | VISHAY | 16+ | SOP-4 |
HT9170D | 4500 | HOLTEK | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
KST2222AMTF | 4500 | FAIRCHILD | 16+ | SOT23 |
L6562 | 4500 | St. | 16+ | SOP8 |
LM1117MP-3.3 | 4500 | NS | 16+ | SOT-223 |
LMC567CN | 4500 | NS | 14+ | DIP8 |
MT8870DE | 4500 | M.Ü. | 16+ | BAD |
SP208EEA | 4500 | SIPEX | 16+ | SSOP-24 |
TDA7050 | 4500 | PHILIPS | 15+ | SOP-8 |
TPN3021RL | 4500 | St. | 16+ | SOP8 |
A1013 | 4520 | FSC | 15+ | TO-92 |
ADM485JN | 4520 | ANZEIGE | 12+ | DIP-8 |
LMC6482IM | 4520 | NS | 16+ | SOP-8 |
RTL8111B | 4520 | REALTEK | 12+ | QFN |
TPA6017A2PWPR | 4520 | TI | 16+ | HTSSOP20 |
LM1086IS-1.8 | 4555 | NS | 16+ | TO263 |
VND830 | 4566 | St. | 16+ | SOP16 |
L6563D | 4571 | St. | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
LP324M | 4588 | NS | 16+ | TSSOP14 |
SN75173D | 4613 | TI | 14+ | SOP-16 |
IRF3415
Energie MOSFET-Hochspannungsenergie mosfet-Doppelenergie mosfet
►Moderne Verfahrenstechnik
►Dynamische dv-/dtbewertung
►175°C Betriebstemperatur
►Schnelle Schaltung L völlig Lawine veranschlagt
Beschreibung
Fünfte Generation HEXFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei.