Elektronik-Komponenten-elektronischer Energie MOSFET des Transistor-IRFPE50
npn smd transistor
,silicon power transistors
Elektronik-Komponenten-elektronischer Energie MOSFET des Transistor-IRFPE50
Eigenschaften
• Dynamische dV-/dtbewertung
• Sich wiederholende Lawine veranschlagt
• Lokalisiertes zentrales Entlüftungsloch
• Schnelle Schaltung
• Leichtigkeit des Vergleichs
• Einfache Antriebs-Anforderungen
• Es-frei verfügbares der Führungs-(Pb)
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
Res 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
Res 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | MIKROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | SCHARFES | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | MIKROCHIP | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | St. | 135 | SOP-24 |
KAPPE 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
KAPPE ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PAN | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | MIKROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
KAPPE ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
KAPPE CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
KAPPE CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
Res 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
FALL 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | St. | 628 | TO-3P |
KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Beschreibungen
MOSFETs Energie der dritten Generation von Vishay versehen den Designer mit der besten Kombination der schnellen Schaltung, des ruggedized Gerätentwurfs, des niedrigen Aufwiderstands und der Wirtschaftlichkeit.
Das Paket TO-247 wird für Handels-industrielle Anwendungen bevorzugt, in denen höhere Leistungspegel den Gebrauch von Geräten TO-220 ausschließen.
Das TO-247 ist ähnlich aber dem früheren Paket TO-218 wegen seines lokalisierten Entlüftungslochs überlegen. Es liefert auch größere Kriechstrecke zwischen Stiften, um die Bedingungen der meisten Sicherheitsvorschriften zu erfüllen.
Absolute Maximalleistungen TC = 25oC, wenn nicht anders angegeben
Abfluss-Quellspannung VDS 800 V
Tor-Quellspannung VGS ± 20
Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges VGS bei 10 V
TC = 25 °C Identifikation 7,8 TC = 100 °C 4,9 A
Pulsiert lassen Sie Currenta IDM 31 ab
Das lineare Herabsetzen stellen Faktor bei 1,5 W/°C dar
Einzelimpuls-Lawine Energyb EAS 770 mJ
Sich wiederholende Lawine Currenta IAR 7,8 A
Sich wiederholendes Lawine Energya-OHR 19 mJ
Höchstleistungs-Ableitung TC = 25 °C PD 190 W
Höchstdioden-Wiederaufnahme dV/dtc dV/dt 2,0 V/ns
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich TJ, Tstg - 55 zu + °C 150
Lötende Empfehlungen (Höchsttemperatur) für 10 s 300d
Befestigung Drehmomentschraube 6-32 oder M3 10 lbF · in 1,1 N · m