Nachricht senden
Haus > produits > elektronische IC-Chips > Elektronik-Komponenten-elektronischer Energie MOSFET des Transistor-IRFPE50

Elektronik-Komponenten-elektronischer Energie MOSFET des Transistor-IRFPE50

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperature Range:
–55 to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
±20V
Current:
4.9A
Package:
TO-247
Factory Package:
TUBE
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Elektronik-Komponenten-elektronischer Energie MOSFET des Transistor-IRFPE50

Eigenschaften

• Dynamische dV-/dtbewertung

• Sich wiederholende Lawine veranschlagt

• Lokalisiertes zentrales Entlüftungsloch

• Schnelle Schaltung

• Leichtigkeit des Vergleichs

• Einfache Antriebs-Anforderungen

• Es-frei verfügbares der Führungs-(Pb)

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
Res 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
Res 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL MIKROCHIP 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A SCHARFES 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANSPORT 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM TI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G MIKROCHIP CL2C SOT-89
C.I SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS St. 135 SOP-24
KAPPE 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
KAPPE ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR PAN Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN MIKROCHIP 1636M6G SOP-8
KAPPE ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RES RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RES RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
KAPPE CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
KAPPE CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
Res 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
FALL 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG St. 628 TO-3P
KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Beschreibungen

MOSFETs Energie der dritten Generation von Vishay versehen den Designer mit der besten Kombination der schnellen Schaltung, des ruggedized Gerätentwurfs, des niedrigen Aufwiderstands und der Wirtschaftlichkeit.

Das Paket TO-247 wird für Handels-industrielle Anwendungen bevorzugt, in denen höhere Leistungspegel den Gebrauch von Geräten TO-220 ausschließen.

Das TO-247 ist ähnlich aber dem früheren Paket TO-218 wegen seines lokalisierten Entlüftungslochs überlegen. Es liefert auch größere Kriechstrecke zwischen Stiften, um die Bedingungen der meisten Sicherheitsvorschriften zu erfüllen.

Absolute Maximalleistungen TC = 25oC, wenn nicht anders angegeben

Abfluss-Quellspannung VDS 800 V

Tor-Quellspannung VGS ± 20

Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges VGS bei 10 V

TC = 25 °C Identifikation 7,8 TC = 100 °C 4,9 A

Pulsiert lassen Sie Currenta IDM 31 ab

Das lineare Herabsetzen stellen Faktor bei 1,5 W/°C dar

Einzelimpuls-Lawine Energyb EAS 770 mJ

Sich wiederholende Lawine Currenta IAR 7,8 A

Sich wiederholendes Lawine Energya-OHR 19 mJ

Höchstleistungs-Ableitung TC = 25 °C PD 190 W

Höchstdioden-Wiederaufnahme dV/dtc dV/dt 2,0 V/ns

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich TJ, Tstg - 55 zu + °C 150

Lötende Empfehlungen (Höchsttemperatur) für 10 s 300d

Befestigung Drehmomentschraube 6-32 oder M3 10 lbF · in 1,1 N · m

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs