2SC4546 3 Pin Transistor Leistungstransistor ISC-Silikon-NPN
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 7 A 10MHz 30 W Through Hole TO-220F
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector-Base Voltage:
600 V
Collector-Emitter Voltage:
400 V
Emitter-Base Voltage:
7 V
Collector Current-Continuous:
7 A
Junction Temperature:
150 ℃
Storage Temperature:
-55~150 ℃
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| RURG8060 | 6054 | FSC | 13+ | TO-247 |
| S1133 | 4195 | HAMAMATSU | 13+ | DIP-2 |
| S14K320 | 92000 | EPSON | 15+ | BAD |
| S1D13506F00A200 | 2146 | EPSON | 11+ | QFP |
| S1G-E3/61T | 18000 | VISHAY | 16+ | DO-214 |
| S21152BB | 1768 | INTEL | 10+ | QFP |
| S25FL128P0XMFI001 | 12260 | SPANSION | 16+ | SOP-16 |
| S25FL216KOPMFI011 | 68000 | SPANSION | 14+ | SOP-8 |
| S25FL512SAGMFI013 | 3723 | SPANSION | 15+ | SOP-16 |
| S29AL016D70TFI010 | 5204 | SPANSION | 08+ | TSSOP-48 |
| S29JL064H90TFI00 | 5068 | SPANSION | 06+ | TSSOP-48 |
| S2B-PH-K-S | 167000 | JST | 14+ | SMD |
| S2J-E3/52T | 75000 | VISHAY | 15+ | DO-214AA |
| S2S4BYOF | 13830 | SCHARFES | 16+ | SOP-4 |
| S34ML08G101BHI000 | 2100 | SPANSION | 16+ | BGA63 |
| S3A-E3/57T | 8500 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
| S3B-13-F | 67000 | DIODEN | 16+ | DO-214AB |
| S3C6410X66-YB40 | 2983 | SAMSUNG | 14+ | BGA |
| S3F9454BZZ-DK94 | 5833 | SAMSUNG | 09+ | BAD |
| S4X8ES | 69000 | LITTELFUS | 10+ | TO-92 |
| S558-5500-25-F | 5804 | BELFUSE | 15+ | SOP-16 |
| S5B-PH-K-S (WENN) (SN) | 94000 | JST | 16+ | Na |
| S5M-E3/57T | 77000 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
| S6040R | 8070 | LITTELFUS | 14+ | TO-220 |
| S6B-XH-SM4-TB (WENN) (SN) | 7573 | JST | 16+ | SMD |
| S7B-PH-SM4-TB (WENN) (SN) | 23131 | JST | 13+ | SMD |
| S8025L | 8041 | TECCOR | 07+ | TO-220 |
| S8065K | 5681 | TECCOR | 16+ | TO-3P |
| SAB80C517A-N18-T3 | 2443 | 14+ | PLCC84 | |
| SAFEA2G35MB0F00R15 | 6517 | MURATA | 16+ | SMD |
Leistungstransistor 2SC4546 ISC-Silikon-NPN
BESCHREIBUNG
·Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung: V (BR) CEO = 400V (Minute)
·Hohe Schaltverzögerung
ANWENDUNGEN
·Entworfen für Spannungsregler, Beleuchtungsinverter und universelle Anwendungen.
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃)
| SYMBOL | PARAMETER | WERT | EINHEIT |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 600 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 400 | V |
| VEBO | Emitter-Basis-Spannung | 7 | V |
| IC | Kollektor Gegenwärtig-ununterbrochen | 7 | |
| ICM | Kollektor-Gegenwärtig-Spitze | 14 | |
| IB | Niedriges Gegenwärtig-ununterbrochenes | 2 | |
| PC | Kollektor-Verlustleistung @TC=25℃ | 30 | W |
| TJ | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ |
| Tstg | Lagertemperatur | -55~150 | ℃ |
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