Nachricht senden
Haus > produits > Anzeigen-Fahrer ICs > Energie-Modul-Transistor-Chip IC-Elektronik-Gleichrichterdiode-China-Lieferant Mosfet-STGIPS20K60

Energie-Modul-Transistor-Chip IC-Elektronik-Gleichrichterdiode-China-Lieferant Mosfet-STGIPS20K60

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Phase 600 V 17 Energie-Fahrer-Module IGBT 3 ein Modul 25-PowerDIP (0,993", 25.23mm)
Kategorie:
Anzeigen-Fahrer ICs
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperaturspanne:
– 55°C zu +150°C
Zahlungsbedingung:
T/T, Paypal, Western Union
Spannung:
10V
Gegenwärtig:
5A
Paket:
SDIP-25
Fabrik-Paket:
Rohr
Höhepunkt:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Einleitung

Energie-Modul-Transistor-Chip IC-Elektronik-Gleichrichterdiode-China-Lieferant Mosfet-STGIPS20K60

Eigenschaften
17 a-, 600 3-phasigeigbt Inverterbrücke V einschließlich Steuerung IC für Tor treibendes und freilaufendes Dioden ■ 3,3 V, 5 V, 15 Inputkomparatoren V CMOS/TTL mit Hysterese und unten des Zuges/, Widerstände hochzuziehen
■Interne Stiefelriemendiode
■Ineinander greifenfunktion
■Negativer Temperaturkoeffizient VCE (saß)
■Kurzschluss schroffes IGBTs
■Undervoltageaussperrung
■Intelligente Abschaltungsfunktion
■Komparator für Störungsschutz gegen vorbei Temperatur und Überstrom
■DBC lokalisierte völlig Paket
■Isolierungsbewertung von 2500 Vrms/von Minute

Anwendungen
3-phasige Inverter für Motorantriebe
■Haushaltsgeräte, wie Waschmaschinen, Kühlschränke, Klimaanlagen

Beschreibung
Das intelligente Modul der Energie STGIPS20K60 liefert einen Vertrag, Hochleistung Wechselstrom-Motorantrieb für einen einfachen und schroffen Entwurf. Es visiert hauptsächlich Inverter der geringen Energie für Anwendungen wie Haushaltsgeräte und Klimaanlagen an. Es kombiniert eigene Steuerung IC St. mit dem schroffen IGBT System des höchstentwickelten Kurzschlusses

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (1)

VPN-Versorgungsspannung angewendet zwischen P - NU, Nanovolt, Nanowatt 450 V

Versorgungsspannung VPNs (Anstieg) (Anstieg) angewendet zwischen P - NU, Nanovolt, Kollektor-Emitter-Spannung Nanowatt 500 V VCES (VIN (1) = 0)

3. Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur

Jedes IGBT pulsierte Kollektorstrom 40 A

PTOT jede IGBT-Gesamtableitung an TC = 25°C

42 w-tscw Kurzschluss-Widerstandszeit,

VCE = 0,5 V (BR) CES TJ = 125 °C, VCC = Vboot= 15 V, ÷ 5 V 5 VIN (1)= 0 µs


TRANSPORT BC847BLT1 18000 AUF CHINA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO CHINA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO CHINA
DIODO DF06S 3000 SEPT CHINA
KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK JAPAN
DIODO US1A-13-F 50000 DIODEN MALAYSIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK JAPAN
Res 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
Res 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO CHINA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY MALAYSIA
Res 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
MUNITION DIODO UF4007 500000 MIC CHINA
TRANS. ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWAN
Res 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
500000 YAGEO CHINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWAN
TRANSPORT MMBT2907A-7-F 30000 DIODEN MALAYSIA
TRANSPORT STGW20NC60VD 1000 St. MALAYSIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI THAILAND
C.I MC33298DW 1000 MOT MALAYSIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL MALAYSIA
C.I P8255A5 4500 INTEL JAPAN
C.I HM6116P-2 5000 HITACHI JAPAN
C.I DS1230Y- 150 2400 DALLAS PHILIPPINEN
TRANS. ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWAN
TRIAC BT151-500R 500000 MAROKKO
C.I HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWAN
TRIAC TIC116M 10000 TI THAILAND
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY MALAYSIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY MALAYSIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWAN
C.I CD40106BE 250 TI THAILAND
ACOPLADOR PC733H 1000 SCHARFES JAPAN
TRANSPORT NDT452AP 5200 FSC MALAYSIA
CI LP2951-50DR 1200 TI THAILAND
CI MC7809CD2TR4G 1200 AUF MALAYSIA
DIODO MBR20200CTG 22000 AUF MALAYSIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWAN
C.I TPIC6595N 10000 TI THAILAND
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA MALAYSIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MIC CHINA
C.I CD4060BM 500 TI THAILAND
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC MALAYSIA
DIODO W08 500 SEPT CHINA
C.I SN74HC373N 1000 TI PHILIPPINEN
FOTOSENSOR 2SS52M 500 Honeywell JAPAN
C.I SN74HC02N 1000 TI THAILAND
C.I CD4585BE 250 TI THAILAND
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C 40 MIKROMETER MALAYSIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 AUF MALAYSIA


Gehäuseabmessungen
Einheit: Millimeter 2120

Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
25pcs