MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C elektronisches IC Chips NAND Flash Memory

32Gb, 64Gb, 128Gb asynchrones/synchrones NAND Features

NAND Flash Memory

MT29F32G08CBACA, MT29F64G08CEACA, MT29F64G08CFACA, MT29F128G08CXACA, MT29F64G08CECCB

Eigenschaften

• Offenes NAND Flash Interface (ONFI) 2,2 konformes¹

• Mehrfach-stufige Technologie der Zellen (MLC)

• Organisation

– Seitengröße x8: 4320 Bytes (4096 + 224 Bytes)

– Blockgröße: 256 Seiten (Bytes 1024K + 56K)

– Flache Größe: 2 Blöcke der Flächen x 2048 pro Fläche

– Gerätgröße: 32Gb: 4096 Blöcke; 64Gb: 8192 Blöcke; 128Gb: 16.384 Blöcke

• Synchrone Input-/Outputleistung

– Bis synchroner Regelungsmodus 5

– Taktfrequenz: 10ns (DDR)

– Lese-Schreibdurchsatz pro Stift: 200 MT/s

• Asynchrone Input-/Outputleistung

– Bis asynchroner Regelungsmodus 5

– ^tRC/tWC: 20ns (MINUTE)

• Reihenleistung

– Gelesene Seite: 50µs (MAX)

– Programmseite: 1300µs (ART)

– Löschenblock: 3ms (ART)

• Funktionierender Spannungsbereich

– VCC: 2.7-3.6V

– VCCQ: 1.7-1.95V, 2.7-3.6V

• Befehlssatz: ONFI NAND Flash Protocol

• Satz des erweiterten Befehls

– Programmpufferspeicher

– Gelesener Pufferspeicher aufeinander folgend

– Gelesener Pufferspeicher gelegentlich

– Einmaliger programmierbarer Modus (OTP)

– Multi-Flächenbefehle

– Multi--LUN Operationen

– Lesen Sie einzigartige Identifikation

– Copyback

• Erster Block (Blockadresse 00h) ist gültig, wenn er von der Fabrik versendet wird.

Für minimalen erforderlichen ECC sehen Sie Fehlerbehandlung (Seite 101).

• ZURÜCKSTELLEN (FFh) erforderte als erster Befehl nach poweron

• Operationsstatusbyte stellt Software-Methode für die Entdeckung zur Verfügung

– Operationsfertigstellung

– Durchlauf-/Ausfallungszustand

– Schreibschutzstatus

• Signale des Datenröhrenblitzes (DQS) stellen eine Hardware-Methode für das Synchronisieren von Daten DQ in der synchronen Schnittstelle zur Verfügung

• Copyback-Operationen stützten sich innerhalb der Fläche, von der Daten gelesen werden

• Qualität und Zuverlässigkeit

– Datenzurückhalten: 10 Jahre

– Ausdauer: 3000 PROGRAM-/ERASEzyklen

• Betriebstemperatur:

– Werbung: 0°C zu +70°C

– Industriell (IT): – 40ºC zu +85ºC

• Paket

– 52 Auflage LGA

– 48 Stift TSOP

– 100 Ball BGA

Anmerkung: 1. Die Spezifikation ONFI 2,2 ist bei www.onfi.org verfügbar.

Allgemeine Beschreibung

Mikrometer-NAND Flash-Geräte umfassen eine asynchrone Datenschnittstelle für leistungsstarke Input-/Outputoperationen. Diese Geräte benutzen einen in hohem Grade gemultiplexten 8-Bit-Bus (DQx) um Befehle, Adresse und Daten zu übertragen. Es gibt fünf Steuersignale, die benutzt werden, um die asynchrone Datenschnittstelle einzuführen: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern Hardware-Schreibschutz (WP#) und überwachen Gerätstatus (R/B#).

Dieses Mikrometer-NAND Flash-Gerät umfasst zusätzlich eine synchrone Datenschnittstelle für leistungsstarke Input-/Outputoperationen. Wenn die synchrone Schnittstelle aktiv ist, wird WE# CLK und RE# wird W/R#. Datenübertragungen umfassen einen bidirektionalen Datenröhrenblitz (DQS).

Diese Hardware-Schnittstelle schafft ein niedriges Stiftzählungsgerät mit einem Standard-pinout, das das selbe von einer Dichte zu anderen bleibt und ermöglicht Zukunftverbesserungen zu den höheren Dichten ohne Brettneukonstruktion.

Ein Ziel ist die Speichereinheit erreicht durch ein Signalfreigabe- eines Bausteinssignal. Ein Ziel enthält eine oder mehrere NAND Flash sterben. NAND Flash sterben ist die kleinste Einheit, die Befehle und Berichtsstatus unabhängig durchführen kann. NAND Flash sterben, in der ONFI-Spezifikation, gekennzeichnet als eine logische Einheit (LUN). Für weitere Details sehen Sie Gerät-und Reihen-Organisation.

Absolute Maximalleistungen durch Gerät

Anmerkung: 1. Spannung auf irgendeinem Stift im Verhältnis zu Seitenflossenstation.

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