Nachricht senden
Haus > produits > IGBT-Leistungsmodul

IGBT-Leistungsmodul

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
IRG4PC40WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC40WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 40 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4BC40UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4BC40UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 40 A 160 W Durchgangsloch TO-220AB
Infineon
IRG4PH40UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PH40UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 1200 V 41 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PH50UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PH50UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 1200 V 45 A 200 W durch Loch TO-247AC
Hersteller
IRG4PC50UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC50UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC50WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC50WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PF50WDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PF50WDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 900 V 51 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP35B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGP35B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 60 A 308 W durch Loch TO-247AC
Hersteller
IRG4IBC20UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4IBC20UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V A 11,4 34 W durch Loch TO-220AB Voll-PAK
Infineon
IRG4PC50KDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4PC50KDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V 52 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC50UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4PC50UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PF50WPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4PF50WPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 900 V 51 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PH50UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4PH50UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 1200 V 45 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC50UPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4PC50UPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGIB10B60KD1P-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGIB10B60KD1P-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 16 A 44 W durch Loch TO-220AB Voll-PAK
Infineon
IRGP50B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGP50B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 75 A 370 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP50B60PD1PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGP50B60PD1PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 75 A 390 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP20B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGP20B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 40 A 220 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP35B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGP35B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 60 A 308 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGB6B60KDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGB6B60KDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 13 A 90 W durch Loch TO-220AB
Infineon
IRGS10B60KDTRRP-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGS10B60KDTRRP-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

Oberflächenberg D2PAK IGBT NPT 600 V 22 A 156 W
Infineon
IRGP4660D-EPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGP4660D-EPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V 100 A 330 W durch Loch TO-247AD
Infineon
IRGP4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGP4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 48 A 250 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP4068DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGP4068DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 96 A 330 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGI4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGI4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 20 A 43 W durch Loch TO-220AB
Infineon
IRAM136-1061A2 NEU UND STAMMAKTIE

IRAM136-1061A2 NEU UND STAMMAKTIE

Phase 600 V 12 Energie-Fahrer-Module IGBT 3 bildete ein 29-PowerSSIP Modul, 21 Führungen, Führungen
Infineon
IRGB4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGB4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 36 A 206 W durch Loch TO-220AB
Infineon
IRGB4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGB4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 48 A 250 W durch Loch TO-220AB
Infineon
TPS51916EVM-746 komplettes DDR2 Energie-Lösungs-synchroner Dollar GRM32ER60J107ME20L DDR3-Gedächtnis-DDR3L und DDR4

TPS51916EVM-746 komplettes DDR2 Energie-Lösungs-synchroner Dollar GRM32ER60J107ME20L DDR3-Gedächtnis-DDR3L und DDR4

TPS51916 D-CAP™, D-CAP2™ spezieller Zweck DC/DC, DDR-Gedächtnis-Versorgung 1, nichtisolierte Ertrag-
Texas Instruments
MPX5010DP IC integrierte Silikon-Druck-Sensor auf Chip Signal Conditioned

MPX5010DP IC integrierte Silikon-Druck-Sensor auf Chip Signal Conditioned

Differenzialer Mann des Druck-Sensor-1.45PSI (10kPa) - 0,19" (4.93mm) Rohr, verdoppeln 0,2 V | 4,7 M
NXP
PTH04070WAZ 3-A, 3.3/5-V GAB elektronisches Chipbrett des JUSTIERBAREN SPANNUNGSREGLERS ein

PTH04070WAZ 3-A, 3.3/5-V GAB elektronisches Chipbrett des JUSTIERBAREN SPANNUNGSREGLERS ein

Nichtisolierter PoL Module DC-DC-Konverter 1 gab 0,9 aus | 3.6V 3A 3V - Input 5.5V
Texas Instruments
Hochgeschwindigkeits Lieferant MPX5100AP-Druck-Sensor ICs Chips Electronics China Golden IC KANN Transceiver

Hochgeschwindigkeits Lieferant MPX5100AP-Druck-Sensor ICs Chips Electronics China Golden IC KANN Transceiver

Druck-Sensor 2.18PSI | 16.68PSI (absoluter Mann 15kPa | 115kPa) - 0,19" (4.93mm) Rohr 0,2 V | 4,7 Mo
NXP
S3B-PH-SM4-TB (WENN) (SN) Druck-Sensor IC-Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Memory IC

S3B-PH-SM4-TB (WENN) (SN) Druck-Sensor IC-Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Memory IC

Verbindungsstück-Titel-Oberflächenberg, rechtwinklige 3 Position 0,079" (2.00mm)
Hersteller
0878321420 Mosfet-Energie-Modul-Elektronik IC Chip Integarted Circuts

0878321420 Mosfet-Energie-Modul-Elektronik IC Chip Integarted Circuts

Position 0,079" des Verbindungsstück-Titel-Oberflächenbergs 14 (2.00mm)
Hersteller
Ergänzende Silikonleistungstransistoren des FGL40N120ANDTU Mosfet-Energie-Moduls

Ergänzende Silikonleistungstransistoren des FGL40N120ANDTU Mosfet-Energie-Moduls

IGBT
Hersteller
FSBB30CH60F Mosfet-Energie-Modulthyristordiode intelligentes Energie-Modul

FSBB30CH60F Mosfet-Energie-Modulthyristordiode intelligentes Energie-Modul

Phase 600 V 30 Energie-Fahrer-Module IGBT 3 ein Modul 27-PowerDIP (1,205", 30.60mm)
Semi-ON / Semi-Katalysator
Energie-Modulthyristordiodenmodul N-Kanal MOSFET Mosfet-IXFN38N100Q2

Energie-Modulthyristordiodenmodul N-Kanal MOSFET Mosfet-IXFN38N100Q2

Berg SOT-227B des N-Kanal-1000 V 38A (Tc) der Fahrgestelle-890W (Tc)
Hersteller
Energie-Modul BSM50GP120BOSA1 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Energie-Modul BSM50GP120BOSA1 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

IGBT-Modul, 3-Phasen-Wechselrichter, 1200 V, 80 A, Chassis-Montagemodul
Infineon
VS-40HFL60S05 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

VS-40HFL60S05 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Diode 600 V 40A Chassis, Bolzenmontage DO-203AB (DO-5)
VISHAY
VS-T70HFL60S05 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

VS-T70HFL60S05 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Diode 600 V 70A Chassismontage D-55
VISHAY
Energie-Modul FF200R17KE3HOSA1 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Energie-Modul FF200R17KE3HOSA1 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

IGBT-Modul Trench Field Stop Halbbrücke 1700 V 310 A 1250 W Chassismontagemodul
Infineon
KWD10-1212 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

KWD10-1212 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Geschlossene AC-DC-Wandler, 2 Ausgänge, 12 V, 450 mA, 450 mA, 85–265 V AC-Eingang
Hersteller
VS-160MT160KPBF IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

VS-160MT160KPBF IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Brückengleichrichter Dreiphasen-Standard 1,6 kV Chassismontage MT-K
VISHAY
Energie-Modul DDB6U144N16RBPSA1 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Energie-Modul DDB6U144N16RBPSA1 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Brückengleichrichter Dreiphasen-Standard 1,6 kV Chassismontage AG-ECONO2A
Infineon
Energie-Modul PS21767 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Energie-Modul PS21767 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Leistungstreibermodul IGBT 3 Phasen 600 V 30 A 38-PowerDIP-Modul (1,413", 35,90 mm)
Hersteller
Energie-Modul PS21765 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Energie-Modul PS21765 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Leistungstreibermodul IGBT 3 Phasen 600 V 20 A 38-PowerDIP-Modul (1,413", 35,90 mm)
Hersteller
Energie-Modul CS241250 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Energie-Modul CS241250 IGBT NEU UND STAMMAKTIE

Diode 1200 V 50A Chassismontage POW-R-BLOK™ Modul
Hersteller
PH150S280-5 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

PH150S280-5 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Isoliertes Modul DC-DC-Wandler 1 Ausgang 5V 30A 200V - 400V Eingang
Hersteller
PH100S280-5 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

PH100S280-5 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Isoliertes Modul DC-DC-Wandler 1 Ausgang 5V 20A 200V - 400V Eingang
Hersteller
PF500A-360 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

PF500A-360 IGBT Energie-Modul NEU UND STAMMAKTIE

Geschlossene AC-DC-Wandler 1 Ausgang 360 V 1,4 A 85 ~ 265 VAC Eingang
Hersteller
1 2 3 4