VISHAY
- Einleitung
- Neueste Produkte
Einleitung
VISHAY
Neueste Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123 |
Oberflächenberg SOD-123 der Dioden-75 V 150mA
|
|
|
|
|
|
|
LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden |
Oberflächenberg SOD-80 MiniMELF der Dioden-30 V 200mA
|
|
|
|
|
|
|
Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY |
275V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AA (SMBJ) der Klammern-2.2A Ipp
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 Dioden-P-Kanal für allgemeine Zwecke mit 150 Watt Durchgang |
P-Kanal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-247AC
|
|
|
|
|
|
|
Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P |
P-Kanal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-247AC
|
|
|
|
|
|
|
VO1400AEFTR Feldwirkungstransistor |
Festzustand SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0,173", 4.40mm)
|
|
|
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 150 V 30A durch Loch TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
VS-36MB160A Feldwirkungstransistor |
Brückengleichrichter-einphasig-Standard 1,6 KV QC-Anschluss D-34
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Diode 100 V 10A Oberflächenbefestigung TO-263AB (D2PAK)
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA25PB60PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 25A durch Loch TO-247AC änderte
|
|
|
|
|
|
|
TCMT1107 NEU UND STAMMAKTIE |
Lichtdämpfer-Transistor gab 3750Vrms 1 Kanal 4-SOP aus
|
|
|
|
|
|
|
1N5245B-TAP NEU UND STAMMAKTIE |
Zenerdiode 15 V 500 mW ±5% durch Loch DO-35 (DO-204AH)
|
|
|
|
|
|
|
SUD17N25-165-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 250 V 17A (Tc) 3W (Ta), Berg TO-252AA der Oberflächen-136W (Tc)
|
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 100 V 30A durch Loch TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), Berg D der Oberflächen-125W (Tc) ² PAK (TO-263)
|
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
VS-ETH1506S-M3 Feldwirkungstransistor |
Oberflächenberg TO-263AB (d-² PAK) der Dioden-600 V 15A
|
|
|
|
|
|
|
VO0630T Feldwirkungstransistor |
Logische Ausgabe Optoisolator 10MBd Offener Abfluss 4000Vrms 2 Kanal 1kV/μs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA25TB60PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 25A durch Loch TO-220AC
|
|
|
|
|
|
|
PDTC144ET Chipdiode Neues und Originalvorrat |
Vorgebildeter bipolarer Transistor (BJT)
|
|
|
|
|
|
|
V40150C-E3/4W Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 150 V 20A durch Loch TO-220-3
|
|
|
|
|
|
|
IRF830BPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
S3D-E3/57T NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg DO-214AB (SMC) der Dioden-200 V 3A
|
|
|
|
|
|
|
SI3456DDV-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), Berg 6-TSOP der Oberflächen-2.7W (Tc)
|
|
|
|
|
|
|
SUP85N03-04P-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
|
|
|