Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY
fabricant:
VISHAY
Beschreibung:
275V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AA (SMBJ) der Klammern-2.2A Ipp
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
To be negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
PN:
SMBJ170A-E3/52
Marken:
VISHAY
Vorlage:
USA
Höchstimpulsleistung :
600W
Distanzhülsen-Spannung:
17V
Paket:
SMBJ170A-E3/52 DO-214AA/SMB
Höhepunkt:
600W Peak Pulse Power Transistors
,17V Peak Pulse Power Transistors
,SMBJ170A-E3/52 NPN Transistors
Einleitung
SMBJ170A-E3/52 Spitzenimpulsleistung 600WStand-off Spannung 17V VISHAY
Eigenschaften
¢Fall: DO-214AA/SMB
Für Oberflächenanwendungen zur Optimierung der Plattenfläche.
Polarität: Farbband mit positivem Ende (Kathode), außer Bidirektional.
¢Typischer Ausfallmodus ist kurz von überspezifizierter Spannung oder Strom
Hochtemperaturlöten: 260°C/10 Sekunden an den Endpunkten.
¢Terminal: gelötet, gelötbar nach MIL-STD-750, Methode 2026.
Allgemeine Informationen
Die SMB-H-Serie ist so konzipiert, dass Spannungsempfindliche Komponenten
Sie haben eine ausgezeichnete Klemmfähigkeit, eine hohe
Die SMB-H-Reihe ist mit einer hohen Leistungsfähigkeit, geringer Zenerimpedanz und einer schnellen Reaktionszeit ausgestattet.
in YINT Semiconductor's exklusive, kostengünstige, sehr zuverlässige und
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Prozesssteuerungen, medizinische Geräte, Betriebsmaschinen, Stromversorgungen und viele andere
andere Anwendungen in der Industrie und für Verbraucher.
Anwendungen
TVS-Geräte eignen sich hervorragend für den Schutz von E/A-Schnittstellen,
VCC-Bus und andere anfällige Schaltkreise, die in Telekommunikation, Computer, Industrie eingesetzt werden
und elektronische Verbraucheranwendungen.
Anmerkungen:
1. Nicht wiederholter Strompuls, pro Pulswellenform-Graph und abgeschwächt über TA = 25 °C pro Puls-Abschwächerkurve.
2- Wärmewiderstandsverbindung zu Blei.
3. 8,3 ms Einzelhalb-Sinus-Wellen-Zyklus = maximal 4 Impulse pro Minute (nur einrichtungsfähige Einheiten).
4. Einphasige, Halbwellen, 60 Hz, Widerstands- oder Induktionslast.
5. VF < 3,5 V bei VBR < 200 V und VF < 5,0 V bei VBR > 201 V.
VERWANDTE PRODUKTE
Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO0630T Feldwirkungstransistor
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMAJ5.0A-E3/61 SMA DO-214AC Transzorb
9.2V Clamp 43.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AC (SMA)
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T Feldwirkungstransistor |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMAJ5.0A-E3/61 SMA DO-214AC Transzorb |
9.2V Clamp 43.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AC (SMA)
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