Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMAJ5.0A-E3/61 SMA DO-214AC Transzorb
Transzorb Transient Voltage Suppressors
,SMA DO-214AC Transient Voltage Suppressors
,SMAJ5.0A-E3/61 Rectifier Diode
SMAJ5.0A-E3/61 Transzorb-Verschiebungsspannungsschutzgeräte SMA DO-214AC
Ausnahme
• Niedrigwertiges Programm
• Ideal für die automatisierte Platzierung
• Glas-passivisierte Chipverbindung
• Erhältlich in ein- und bidirektionale
• Spitzenimpulsleistung von 400 Watt mit einer Wellenform von 10/1000 μs, Wiederholungsrate (Arbeitszyklus): 0,01 % (300 W über 78 V)
• Ausgezeichnete Klemmfähigkeit
• Sehr schnelle Reaktionszeit
• Niedriges Widerstandsvermögen
• Erfüllt die MSL-Stufe 1 pro J-STD-020, LF maximale Spitze 260 °C
• Löttaufe 260 °C, 40 s
• Komponente gemäß RoHS 2002/95/EG und WEEE 2002/96/EG
Typische Anwendungen
Verwendung in empfindlicher Elektronik zum Schutz vor Spannungsüberschreitungen, die durch induziertes Lastschalten und Licht auf ICs, MOSFET,
Signalleitungen von Sensoren für Verbraucher, Computer, Industrie, Automobil und Telekommunikation.
Mechanische Daten
Fall: DO-214AC (SMA) Formenverbindung entspricht der Entflammbarkeitsstufe UL 94 V-0 Basis P/N-E3 - RoHS-konform
Gewerbliche Qualität Basis P/NHE3 - RoHS-konform, hohe Zuverlässigkeit/Kraftfahrzeugqualität (AEC Q101-Qualifikation)
Endgeräte: Matte, mit Zinn beschichtete Leitungen, die nach J-STD-002 und JESD22-B102 E3 geschweißt werden können, erfüllen die JESD 201-Klasse 1A-Musterprüfung.
HE3-Suffix entspricht JESD 201 Klasse 2 Schnurrbartprüfung Polarität:
Bei einrichtungsfähigen Typen bezeichnet das Band das Kathodenende, bei bidirektionalen Typen keine Kennzeichnung
Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123
LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden
Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY
Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P
VO0630T Feldwirkungstransistor
Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207
Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand
Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T Feldwirkungstransistor |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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